العربية
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska✕
معلومات عنا | اتصل بنا | اطلب اقتباس |
الصفحة الرئيسية > منتجات > منتجات أشباه الموصلات المنفصلة > الترانزستورات - فيتس، موسيتس - واحدة > IXFP270N06T3
IXFP270N06T3
IXFP270N06T3
رقم القطعة:
IXFP270N06T3
الصانع:
IXYS Corporation
وصف:
60V/270A TRENCHT3 HIPERFET MOSFE
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
15239 Pieces
ورقة البيانات:
IXFP270N06T3.pdf
تحقيق

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IXFP270N06T3 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IXFP270N06T3 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى IXFP270N06T3 مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:4V @ 250µA
فغس (ماكس):±20V
تكنولوجيا:MOSFET (Metal Oxide)
تجار الأجهزة حزمة:TO-220AB
سلسلة:HiperFET™, TrenchT3™
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:3.1 mOhm @ 100A, 10V
تبديد الطاقة (ماكس):480W (Tc)
التعبئة والتغليف:Tube
حزمة / كيس:TO-220-3
درجة حرارة التشغيل:-55°C ~ 175°C (TJ)
تصاعد نوع:Through Hole
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع المهلة القياسية:10 Weeks
الصانع الجزء رقم:IXFP270N06T3
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:12600pF @ 25V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:200nC @ 10V
نوع FET:N-Channel
FET الميزة:-
وصف موسع:N-Channel 60V 270A (Tc) 480W (Tc) Through Hole TO-220AB
محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على):10V
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):60V
وصف:60V/270A TRENCHT3 HIPERFET MOSFE
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:270A (Tc)
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات

قطع الغيار ذات الصلة لIXFP270N06T3

صورة رقم القطعة مصنعين وصف رأي
IXFP230N075T2 Image IXFP230N075T2 IXYS MOSFET N-CH 75V 230A تحقيق
IXFP20N50P3M Image IXFP20N50P3M IXYS MOSFET N-CH 500V 8A TO-220 تحقيق
2SK4016(Q) Image 2SK4016(Q) Toshiba Semiconductor and Storage MOSFET N-CH 600V 13A TO220SIS تحقيق
IPD038N04NGBTMA1 Image IPD038N04NGBTMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3 تحقيق
IXFP22N65X2 Image IXFP22N65X2 IXYS MOSFET N-CH 650V 22A TO-220 تحقيق
IXFN80N50P Image IXFN80N50P IXYS MOSFET N-CH 500V 66A SOT-227 تحقيق
SIHB22N60E-E3 Image SIHB22N60E-E3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK تحقيق
IXFH74N20 Image IXFH74N20 IXYS MOSFET N-CH 200V 74A TO-247 تحقيق
IPB80P03P4L07ATMA1 Image IPB80P03P4L07ATMA1 Infineon Technologies MOSFET P-CH 30V 80A TO263-3 تحقيق
IXFP20N50P3 Image IXFP20N50P3 IXYS MOSFET N-CH 500V 8A TO220 تحقيق
SIS412DN-T1-GE3 Image SIS412DN-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 30V 12A 1212-8 PPAK تحقيق
IXFP24N60X Image IXFP24N60X IXYS MOSFET N-CH 600V 24A TO220 تحقيق
IXFP22N60P3 Image IXFP22N60P3 IXYS MOSFET N-CH 600V 22A TO220AB تحقيق
IPB240N04S4R9ATMA1 Image IPB240N04S4R9ATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH TO263-7 تحقيق
SIHG70N60EF-GE3 Image SIHG70N60EF-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 600V 70A TO-247AC تحقيق
IXFP26N50P3 Image IXFP26N50P3 IXYS MOSFET N-CH 500V 26A TO-220 تحقيق
IXFB82N60Q3 Image IXFB82N60Q3 IXYS MOSFET N-CH 600V 82A PLUS264 تحقيق
IXFP20N85X Image IXFP20N85X IXYS 850V/20A ULTRA JUNCTION X-CLASS تحقيق
FDP8N50NZ Image FDP8N50NZ Fairchild/ON Semiconductor MOSFET N-CH 500V TO-220AB-3 تحقيق
IXFP220N06T3 Image IXFP220N06T3 IXYS 60V/220A TRENCHT3 HIPERFET MOSFE تحقيق

Latest الأخبار