يشترى IXFP22N60P3 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
IXFP22N60P3
- رقم القطعة:
- IXFP22N60P3
- الصانع:
- IXYS Corporation
- وصف:
- MOSFET N-CH 600V 22A TO220AB
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 13649 Pieces
- ورقة البيانات:
- IXFP22N60P3.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IXFP22N60P3 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IXFP22N60P3 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 5V @ 1.5mA |
|---|---|
| فغس (ماكس): | ±30V |
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | TO-220AB |
| سلسلة: | HiPerFET™, Polar3™ |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 360 mOhm @ 11A, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 500W (Tc) |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | TO-220-3 |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 6 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | IXFP22N60P3 |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 2600pF @ 25V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 38nC @ 10V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | N-Channel 600V 22A (Tc) 500W (Tc) Through Hole TO-220AB |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على): | 10V |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 600V |
| وصف: | MOSFET N-CH 600V 22A TO220AB |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 22A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لIXFP22N60P3
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
IXFP22N65X2 | IXYS | MOSFET N-CH 650V 22A TO-220 | تحقيق |
|
IXFP20N85X | IXYS | 850V/20A ULTRA JUNCTION X-CLASS | تحقيق |
 |
SI7368DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 20V 13A PPAK SO-8 | تحقيق |
|
IXFP24N60X | IXYS | MOSFET N-CH 600V 24A TO220 | تحقيق |
|
IXFP20N50P3 | IXYS | MOSFET N-CH 500V 8A TO220 | تحقيق |
 |
BUK9529-100B,127 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 100V 46A TO220AB | تحقيق |
 |
IRFP460 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 500V 20A TO-247AC | تحقيق |
 |
VP3203N8-G | Microchip Technology | MOSFET P-CH 30V 1.1A SOT89-3 | تحقيق |
 |
IPS050N03LGBKMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CHANNEL 30V 50A TO251-3 | تحقيق |
|
IXFP20N50P3M | IXYS | MOSFET N-CH 500V 8A TO-220 | تحقيق |
 |
BSP300H6327XUSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 800V 190MA SOT-223 | تحقيق |
|
IXFP230N075T2 | IXYS | MOSFET N-CH 75V 230A | تحقيق |
|
IXFP220N06T3 | IXYS | 60V/220A TRENCHT3 HIPERFET MOSFE | تحقيق |
 |
ZXMN2A01E6TC | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 20V 2.5A SOT23-6 | تحقيق |
|
IXFP26N50P3 | IXYS | MOSFET N-CH 500V 26A TO-220 | تحقيق |
|
IXFP270N06T3 | IXYS | 60V/270A TRENCHT3 HIPERFET MOSFE | تحقيق |
 |
NTD18N06-1G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 18A IPAK | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog