يشترى IXFP4N60P3 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
IXFP4N60P3
- رقم القطعة:
- IXFP4N60P3
- الصانع:
- IXYS Corporation
- وصف:
- MOSFET N-CH 600V 4A TO-220AB
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 16454 Pieces
- ورقة البيانات:
- IXFP4N60P3.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IXFP4N60P3 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IXFP4N60P3 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 5V @ 250µA |
|---|---|
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | TO-220AB |
| سلسلة: | HiPerFET™, Polar3™ |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 2.2 Ohm @ 2A, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 114W (Tc) |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | TO-220-3 |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 10 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | IXFP4N60P3 |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 365pF @ 25V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 6.9nC @ 10V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | N-Channel 600V 4A (Tc) 114W (Tc) Through Hole TO-220AB |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 600V |
| وصف: | MOSFET N-CH 600V 4A TO-220AB |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 4A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لIXFP4N60P3
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
IXFP4N100Q | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 4A TO-220 | تحقيق |
 |
FQU20N06LTU | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 17.2A IPAK | تحقيق |
 |
IXFP4N85XM | IXYS | MOSFET N-CH 80V 3.5A TO220 | تحقيق |
 |
SPD50N03S207GBTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3 | تحقيق |
 |
IXFP4N85X | IXYS | MOSFET N-CH 850V 3.5A TO220-3 | تحقيق |
 |
SIS415DNT-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 20V 35A 1212-8 | تحقيق |
 |
IRFH8324TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 90A 5X6 PQFN | تحقيق |
 |
SI3445ADV-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 8V 4.4A 6-TSOP | تحقيق |
 |
IXKN45N80C | IXYS | MOSFET N-CH 800V 44A SOT-227B | تحقيق |
 |
IXTA5N50P | IXYS | MOSFET N-CH 500V 4.8A D2PAK | تحقيق |
 |
SIHH14N60EF-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 600V 15A POWERPAK8X8 | تحقيق |
|
SIS448DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 35A 1212-8 | تحقيق |
 |
FDS7082N3 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 17.5A 8-SOIC | تحقيق |
 |
IRF7705GTRPBF | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 30V 8A 8-TSSOP | تحقيق |
|
IXFP4N100P | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 4A TO-220 | تحقيق |
|
IRF7701GTRPBF | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 12V 10A 8-TSSOP | تحقيق |
 |
CSD19537Q3 | Texas Instruments | MOSFET N-CH 100V 50A 8VSON | تحقيق |
 |
FCA22N60N | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 22A TO-3PN | تحقيق |
 |
IRFS23N15DTRLP | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 150V 23A D2PAK | تحقيق |
 |
IPP47N10SL26AKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 47A TO220-3 | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog