يشترى IXFP4N100Q مع BYCHPS
شراء مع ضمان
VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 5V @ 1.5mA |
---|---|
فغس (ماكس): | ±20V |
تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
تجار الأجهزة حزمة: | TO-220AB |
سلسلة: | HiPerFET™ |
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 3 Ohm @ 2A, 10V |
تبديد الطاقة (ماكس): | 150W (Tc) |
التعبئة والتغليف: | Tube |
حزمة / كيس: | TO-220-3 |
درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
تصاعد نوع: | Through Hole |
مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
الصانع المهلة القياسية: | 8 Weeks |
الصانع الجزء رقم: | IXFP4N100Q |
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 1050pF @ 25V |
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 39nC @ 10V |
نوع FET: | N-Channel |
FET الميزة: | - |
وصف موسع: | N-Channel 1000V (1kV) 4A (Tc) 150W (Tc) Through Hole TO-220AB |
محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على): | 10V |
استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 1000V (1kV) |
وصف: | MOSFET N-CH 1000V 4A TO-220 |
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 4A (Tc) |
Email: | [email protected] |