IXFR10N100Q
IXFR10N100Q
رقم القطعة:
IXFR10N100Q
الصانع:
IXYS Corporation
وصف:
MOSFET N-CH 1000V 9A ISOPLUS247
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
13390 Pieces
ورقة البيانات:
IXFR10N100Q.pdf

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IXFR10N100Q ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IXFR10N100Q عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى IXFR10N100Q مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:5.5V @ 4mA
تكنولوجيا:MOSFET (Metal Oxide)
تجار الأجهزة حزمة:ISOPLUS247™
سلسلة:HiPerFET™
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:1.2 Ohm @ 5A, 10V
تبديد الطاقة (ماكس):250W (Tc)
التعبئة والتغليف:Tube
حزمة / كيس:ISOPLUS247™
درجة حرارة التشغيل:-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع:Through Hole
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع الجزء رقم:IXFR10N100Q
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:2900pF @ 25V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:90nC @ 10V
نوع FET:N-Channel
FET الميزة:-
وصف موسع:N-Channel 1000V (1kV) 9A (Tc) 250W (Tc) Through Hole ISOPLUS247™
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):1000V (1kV)
وصف:MOSFET N-CH 1000V 9A ISOPLUS247
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:9A (Tc)
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات