يشترى IXFR15N100Q3 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
IXFR15N100Q3
- رقم القطعة:
- IXFR15N100Q3
- الصانع:
- IXYS Corporation
- وصف:
- MOSFET N-CH 1000V 10A ISOPLUS247
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 17718 Pieces
- ورقة البيانات:
- IXFR15N100Q3.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IXFR15N100Q3 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IXFR15N100Q3 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 6.5V @ 4mA |
|---|---|
| فغس (ماكس): | ±30V |
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | ISOPLUS247™ |
| سلسلة: | HiPerFET™ |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 1.2 Ohm @ 7.5A, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 400W (Tc) |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | TO-247-3 |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 8 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | IXFR15N100Q3 |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 3250pF @ 25V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 64nC @ 10V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | N-Channel 1000V (1kV) 10A (Tc) 400W (Tc) Through Hole ISOPLUS247™ |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على): | 10V |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 1000V (1kV) |
| وصف: | MOSFET N-CH 1000V 10A ISOPLUS247 |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 10A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لIXFR15N100Q3
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
IXFR15N100P | IXYS | MOSFET N-CH 1000V ISOPLUS247 | تحقيق |
|
IXFR18N90P | IXYS | MOSFET N-CH 900V ISOPLUS247 | تحقيق |
|
IXFR180N15P | IXYS | MOSFET N-CH 150V 100A ISOPLUS247 | تحقيق |
|
IXFR16N80P | IXYS | MOSFET N-CH ISOPLUS247 | تحقيق |
|
IXFR10N100Q | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 9A ISOPLUS247 | تحقيق |
|
IXFR180N06 | IXYS | MOSFET N-CH 60V 180A ISOPLUS247 | تحقيق |
|
IXFR140N20P | IXYS | MOSFET N-CH 200V 90A ISOPLUS247 | تحقيق |
|
IXFR180N085 | IXYS | MOSFET N-CH 85V 180A ISOPLUS247 | تحقيق |
|
IXFR12N120P | IXYS | MOSFET N-CH 1200V ISOPLUS247 | تحقيق |
|
IXFR100N25 | IXYS | MOSFET N-CH 250V 87A ISOPLUS247 | تحقيق |
|
IXFR12N100Q | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 10A ISOPLUS247 | تحقيق |
|
IXFR180N10 | IXYS | MOSFET N-CH 100V 165A ISOPLUS247 | تحقيق |
|
IXFR15N80Q | IXYS | MOSFET N-CH 800V 13A ISOPLUS247 | تحقيق |
|
IXFR150N15 | IXYS | MOSFET N-CH 150V 105A ISOPLUS247 | تحقيق |
|
IXFR180N07 | IXYS | MOSFET N-CH 70V 180A ISOPLUS247 | تحقيق |
|
IXFR13N50 | IXYS | MOSFET N-CH 500V 13A ISOPLUS247 | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI to reduce costs in Wireless business; OMAP™ processors and wireless connectivity solutions will focus on embedded markets
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers