IXFT23N80Q
IXFT23N80Q
رقم القطعة:
IXFT23N80Q
الصانع:
IXYS Corporation
وصف:
MOSFET N-CH 800V 23A TO-268(D3)
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
16663 Pieces
ورقة البيانات:
IXFT23N80Q.pdf

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IXFT23N80Q ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IXFT23N80Q عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى IXFT23N80Q مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:4.5V @ 3mA
تكنولوجيا:MOSFET (Metal Oxide)
تجار الأجهزة حزمة:TO-268
سلسلة:HiPerFET™
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:420 mOhm @ 500mA, 10V
تبديد الطاقة (ماكس):500W (Tc)
التعبئة والتغليف:Bulk
حزمة / كيس:TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
درجة حرارة التشغيل:-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع:Surface Mount
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع الجزء رقم:IXFT23N80Q
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:4900pF @ 25V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:130nC @ 10V
نوع FET:N-Channel
FET الميزة:-
وصف موسع:N-Channel 800V 23A (Tc) 500W (Tc) Surface Mount TO-268
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):800V
وصف:MOSFET N-CH 800V 23A TO-268(D3)
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:23A (Tc)
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات