يشترى IXFT24N90P مع BYCHPS
شراء مع ضمان
IXFT24N90P
- رقم القطعة:
- IXFT24N90P
- الصانع:
- IXYS Corporation
- وصف:
- MOSFET N-CH TO-268
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 12774 Pieces
- ورقة البيانات:
- IXFT24N90P.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IXFT24N90P ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IXFT24N90P عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 6.5V @ 1mA |
|---|---|
| فغس (ماكس): | ±30V |
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | TO-268 |
| سلسلة: | HiPerFET™, PolarP2™ |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 420 mOhm @ 12A, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 660W (Tc) |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 8 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | IXFT24N90P |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 7200pF @ 25V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 130nC @ 10V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | N-Channel 900V 24A (Tc) 660W (Tc) Surface Mount TO-268 |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على): | 10V |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 900V |
| وصف: | MOSFET N-CH TO-268 |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 24A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لIXFT24N90P
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
STP11NM50N | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 500V 9A TO-220 | تحقيق |
 |
IXFT21N50Q | IXYS | MOSFET N-CH 500V 21A TO-268 | تحقيق |
|
IXFT26N50 | IXYS | MOSFET N-CH 500V 26A TO-268 | تحقيق |
|
IXFT24N50Q | IXYS | MOSFET N-CH 500V 24A TO-268 | تحقيق |
|
IXFT20N60Q | IXYS | MOSFET N-CH 600V 20A TO-268 | تحقيق |
|
IXFT23N80Q | IXYS | MOSFET N-CH 800V 23A TO-268(D3) | تحقيق |
|
IXFT26N60Q | IXYS | MOSFET N-CH 600V 26A TO-268 | تحقيق |
|
IXFT20N80P | IXYS | MOSFET N-CH 800V 20A TO-268 | تحقيق |
|
IXFT24N80P | IXYS | MOSFET N-CH 800V 24A TO-268 | تحقيق |
|
IXFT23N60Q | IXYS | MOSFET N-CH 600V 23A TO-268(D3) | تحقيق |
|
IXFT26N60P | IXYS | MOSFET N-CH 600V 26A TO-268 D3 | تحقيق |
|
IXFT20N80Q | IXYS | MOSFET N-CH 800V 20A TO-268 | تحقيق |
|
IXFT28N50Q | IXYS | MOSFET N-CH 500V 28A TO-268(D3) | تحقيق |
|
IXFT24N50 | IXYS | MOSFET N-CH 500V 24A TO-268 | تحقيق |
|
IXFT26N50Q | IXYS | MOSFET N-CH 500V 26A TO-268 | تحقيق |
 |
IRF3703PBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 210A TO-220AB | تحقيق |
|
IXFT20N100P | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 20A TO-268 | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog