العربية
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska✕
معلومات عنا | اتصل بنا | اطلب اقتباس |
الصفحة الرئيسية > منتجات > منتجات أشباه الموصلات المنفصلة > الترانزستورات - فيتس، موسيتس - واحدة > IXFT32N50
IXFT32N50
IXFT32N50
رقم القطعة:
IXFT32N50
الصانع:
IXYS Corporation
وصف:
MOSFET N-CH 500V 32A TO-268
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
17046 Pieces
ورقة البيانات:
IXFT32N50.pdf
تحقيق

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IXFT32N50 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IXFT32N50 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى IXFT32N50 مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:4V @ 4mA
تكنولوجيا:MOSFET (Metal Oxide)
تجار الأجهزة حزمة:TO-268
سلسلة:HiPerFET™
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:150 mOhm @ 15A, 10V
تبديد الطاقة (ماكس):360W (Tc)
التعبئة والتغليف:Tube
حزمة / كيس:TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
درجة حرارة التشغيل:-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع:Surface Mount
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع الجزء رقم:IXFT32N50
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:5700pF @ 25V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:300nC @ 10V
نوع FET:N-Channel
FET الميزة:-
وصف موسع:N-Channel 500V 32A (Tc) 360W (Tc) Surface Mount TO-268
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):500V
وصف:MOSFET N-CH 500V 32A TO-268
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:32A (Tc)
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات

قطع الغيار ذات الصلة لIXFT32N50

صورة رقم القطعة مصنعين وصف رأي
AUIRFS4010-7P Image AUIRFS4010-7P Infineon Technologies MOSFET N-CH 100V 190A D2PAK-7P تحقيق
IXFT340N075T2 Image IXFT340N075T2 IXYS MOSFET N-CH 75V 340A TO268 تحقيق
NTMFS4C03NT1G Image NTMFS4C03NT1G ON Semiconductor MOSFET N-CH 30V 30A SO8FL تحقيق
IXFT30N50P Image IXFT30N50P IXYS MOSFET N-CH 500V 30A TO-268 D3 تحقيق
IXFT32N50Q Image IXFT32N50Q IXYS MOSFET N-CH 500V 32A TO-268 تحقيق
IXFT320N10T2 Image IXFT320N10T2 IXYS MOSFET N-CH 100V 320A TO-26 تحقيق
IXFT30N85XHV Image IXFT30N85XHV IXYS MOSFET N-CH 850V 30A TO268-3 تحقيق
DMN3052LSS-13 Image DMN3052LSS-13 Diodes Incorporated MOSFET N-CH 30V 7.1A 8-SOIC تحقيق
IXFT30N60Q Image IXFT30N60Q IXYS MOSFET N-CH 600V 30A TO-268(D3) تحقيق
AOWF10T60P Alpha & Omega Semiconductor Inc. MOSFET N-CH 600V 10A TO-262 تحقيق
IXFT30N50Q3 Image IXFT30N50Q3 IXYS MOSFET N-CH 500V 30A TO-268 تحقيق
IXFT30N50Q Image IXFT30N50Q IXYS MOSFET N-CH 500V 30A TO-268 تحقيق
IXFT36N60P Image IXFT36N60P IXYS MOSFET N-CH 600V 36A TO-268 D3 تحقيق
IXFT30N50 Image IXFT30N50 IXYS MOSFET N-CH 500V 30A TO-268 تحقيق
IXFT36N50P Image IXFT36N50P IXYS MOSFET N-CH 500V 36A TO-268 D3 تحقيق
IXFT30N60P Image IXFT30N60P IXYS MOSFET N-CH 600V 30A TO-268 D3 تحقيق
IRFR3303CPBF Infineon Technologies MOSFET N-CH 30V 33A DPAK تحقيق

Latest الأخبار