العربية
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska✕
معلومات عنا | اتصل بنا | اطلب اقتباس |
الصفحة الرئيسية > منتجات > منتجات أشباه الموصلات المنفصلة > الترانزستورات - فيتس، موسيتس - واحدة > IXFT36N50P
IXFT36N50P
IXFT36N50P
رقم القطعة:
IXFT36N50P
الصانع:
IXYS Corporation
وصف:
MOSFET N-CH 500V 36A TO-268 D3
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
15766 Pieces
ورقة البيانات:
IXFT36N50P.pdf
تحقيق

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IXFT36N50P ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IXFT36N50P عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى IXFT36N50P مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:5V @ 4mA
فغس (ماكس):±30V
تكنولوجيا:MOSFET (Metal Oxide)
تجار الأجهزة حزمة:TO-268
سلسلة:HiPerFET™, PolarP2™
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:170 mOhm @ 500mA, 10V
تبديد الطاقة (ماكس):540W (Tc)
التعبئة والتغليف:Tube
حزمة / كيس:TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
درجة حرارة التشغيل:-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع:Surface Mount
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع الجزء رقم:IXFT36N50P
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:5500pF @ 25V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:93nC @ 10V
نوع FET:N-Channel
FET الميزة:-
وصف موسع:N-Channel 500V 36A (Tc) 540W (Tc) Surface Mount TO-268
محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على):10V
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):500V
وصف:MOSFET N-CH 500V 36A TO-268 D3
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:36A (Tc)
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات

قطع الغيار ذات الصلة لIXFT36N50P

صورة رقم القطعة مصنعين وصف رأي
IXTV280N055T Image IXTV280N055T IXYS MOSFET N-CH 55V 280A PLUS220 تحقيق
IXFT36N60P Image IXFT36N60P IXYS MOSFET N-CH 600V 36A TO-268 D3 تحقيق
IXFT30N60P Image IXFT30N60P IXYS MOSFET N-CH 600V 30A TO-268 D3 تحقيق
IXFT340N075T2 Image IXFT340N075T2 IXYS MOSFET N-CH 75V 340A TO268 تحقيق
IXFT30N50P Image IXFT30N50P IXYS MOSFET N-CH 500V 30A TO-268 D3 تحقيق
STP15N65M5 Image STP15N65M5 STMicroelectronics MOSFET N CH 650V 11A TO220 تحقيق
IXFT30N60Q Image IXFT30N60Q IXYS MOSFET N-CH 600V 30A TO-268(D3) تحقيق
IXFT32N50Q Image IXFT32N50Q IXYS MOSFET N-CH 500V 32A TO-268 تحقيق
FDMS2508SDC Fairchild/ON Semiconductor MOSFET N-CH 25V 34A POWER56 تحقيق
FDC697P Fairchild/ON Semiconductor MOSFET P-CH 20V 8A 6-SSOP تحقيق
ZXMP6A17KTC Image ZXMP6A17KTC Diodes Incorporated MOSFET P-CH 60V 4.4A DPAK تحقيق
IXFT32N50 Image IXFT32N50 IXYS MOSFET N-CH 500V 32A TO-268 تحقيق
STP400N4F6 Image STP400N4F6 STMicroelectronics MOSFET N-CH 40V TO-220 تحقيق
PSMN013-100ES,127 Image PSMN013-100ES,127 Nexperia USA Inc. MOSFET N-CH 100V I2PAK تحقيق
IXFT30N50Q Image IXFT30N50Q IXYS MOSFET N-CH 500V 30A TO-268 تحقيق
IXFT320N10T2 Image IXFT320N10T2 IXYS MOSFET N-CH 100V 320A TO-26 تحقيق
IXFT30N50 Image IXFT30N50 IXYS MOSFET N-CH 500V 30A TO-268 تحقيق
IXFT30N50Q3 Image IXFT30N50Q3 IXYS MOSFET N-CH 500V 30A TO-268 تحقيق
IXFT30N85XHV Image IXFT30N85XHV IXYS MOSFET N-CH 850V 30A TO268-3 تحقيق

Latest الأخبار