العربية
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska✕
معلومات عنا | اتصل بنا | اطلب اقتباس |
الصفحة الرئيسية > منتجات > منتجات أشباه الموصلات المنفصلة > الترانزستورات - فيتس، موسيتس - واحدة > IXFT50N30Q3
IXFT50N30Q3
IXFT50N30Q3
رقم القطعة:
IXFT50N30Q3
الصانع:
IXYS Corporation
وصف:
MOSFET N-CH 300V 50A TO-268
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
13430 Pieces
ورقة البيانات:
IXFT50N30Q3.pdf
تحقيق

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IXFT50N30Q3 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IXFT50N30Q3 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى IXFT50N30Q3 مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:6.5V @ 4mA
فغس (ماكس):±20V
تكنولوجيا:MOSFET (Metal Oxide)
تجار الأجهزة حزمة:TO-268
سلسلة:HiPerFET™
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:80 mOhm @ 25A, 10V
تبديد الطاقة (ماكس):690W (Tc)
التعبئة والتغليف:Tube
حزمة / كيس:TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
درجة حرارة التشغيل:-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع:Surface Mount
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع المهلة القياسية:20 Weeks
الصانع الجزء رقم:IXFT50N30Q3
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:3165pF @ 25V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:65nC @ 10V
نوع FET:N-Channel
FET الميزة:-
وصف موسع:N-Channel 300V 50A (Tc) 690W (Tc) Surface Mount TO-268
محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على):10V
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):300V
وصف:MOSFET N-CH 300V 50A TO-268
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:50A (Tc)
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات

قطع الغيار ذات الصلة لIXFT50N30Q3

صورة رقم القطعة مصنعين وصف رأي
IXFT52N30Q Image IXFT52N30Q IXYS MOSFET N-CH 300V 52A TO-268 تحقيق
IXFT58N20 Image IXFT58N20 IXYS MOSFET N-CH 200V 58A TO-268 تحقيق
IXFT50N50P3 Image IXFT50N50P3 IXYS MOSFET N-CH 500V 50A TO-268 تحقيق
IXFT50N20 Image IXFT50N20 IXYS MOSFET N-CH 200V 50A TO-268 تحقيق
IXFT50N85XHV Image IXFT50N85XHV IXYS 850V/50A ULTRA JUNCTION X-CLASS تحقيق
IXFT50N60P3 Image IXFT50N60P3 IXYS MOSFET N-CH 600V 50A TO268 تحقيق
ZVN4210GTA Image ZVN4210GTA Diodes Incorporated MOSFET N-CH 100V 800MA SOT223 تحقيق
FDP6030L Fairchild/ON Semiconductor MOSFET N-CH 30V 48A TO-220 تحقيق
IRF840LCL Image IRF840LCL Vishay Siliconix MOSFET N-CH 500V 8A TO-262 تحقيق
ZXMN3A05N8TA Image ZXMN3A05N8TA Diodes Incorporated MOSFET N-CH 30V 12A 8-SOIC تحقيق
IXFT50N60X Image IXFT50N60X IXYS MOSFET N-CH 600V 50A TO268 تحقيق
IXFT52N50P2 Image IXFT52N50P2 IXYS MOSFET N-CH 500V 52A TO268 تحقيق
IXFT58N20Q Image IXFT58N20Q IXYS MOSFET N-CH 200V 58A TO-268 تحقيق
NCV8440ASTT3G Image NCV8440ASTT3G ON Semiconductor MOSFET N-CH 59V 2.6A SOT-223-4 تحقيق
IPF04N03LA Image IPF04N03LA Infineon Technologies MOSFET N-CH 25V 50A DPAK تحقيق

Latest الأخبار