يشترى IXFT58N20 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
IXFT58N20
- رقم القطعة:
- IXFT58N20
- الصانع:
- IXYS Corporation
- وصف:
- MOSFET N-CH 200V 58A TO-268
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 16779 Pieces
- ورقة البيانات:
- IXFT58N20.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IXFT58N20 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IXFT58N20 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 4V @ 4mA |
|---|---|
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | TO-268 |
| سلسلة: | HiPerFET™ |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 40 mOhm @ 29A, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 300W (Tc) |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 8 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | IXFT58N20 |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 4400pF @ 25V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 220nC @ 10V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | N-Channel 200V 58A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount TO-268 |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 200V |
| وصف: | MOSFET N-CH 200V 58A TO-268 |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 58A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لIXFT58N20
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
IXFT50N60P3 | IXYS | MOSFET N-CH 600V 50A TO268 | تحقيق |
 |
IXFT52N50P2 | IXYS | MOSFET N-CH 500V 52A TO268 | تحقيق |
 |
FQA10N80C | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 800V 10A TO-3P | تحقيق |
|
IXFT50N30Q3 | IXYS | MOSFET N-CH 300V 50A TO-268 | تحقيق |
 |
SPW52N50C3 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 560V 52A TO-247 | تحقيق |
 |
IXFT58N20Q | IXYS | MOSFET N-CH 200V 58A TO-268 | تحقيق |
 |
CEDM8001 BK | Central Semiconductor Corp | MOSFET P-CH 20V 0.1A SOT-883 | تحقيق |
 |
IRFBC30SPBF | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 600V 3.6A D2PAK | تحقيق |
 |
IRFZ44N,127 | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 55V 49A TO220AB | تحقيق |
|
IXFT50N85XHV | IXYS | 850V/50A ULTRA JUNCTION X-CLASS | تحقيق |
|
IXFT50N20 | IXYS | MOSFET N-CH 200V 50A TO-268 | تحقيق |
 |
DMJ70H1D3SH3 | Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS: 651V 800V TO251 | تحقيق |
|
IXFT50N50P3 | IXYS | MOSFET N-CH 500V 50A TO-268 | تحقيق |
|
IXFT50N60X | IXYS | MOSFET N-CH 600V 50A TO268 | تحقيق |
 |
BUK9Y4R8-60E,115 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 60V 100A LFPAK | تحقيق |
|
IXFT52N30Q | IXYS | MOSFET N-CH 300V 52A TO-268 | تحقيق |
 |
NTMFS5C460NLT1G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 40V SO8FL | تحقيق |
 |
IXFH18N60P | IXYS | MOSFET N-CH 600V 18A TO-247 | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog