العربية
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska✕
معلومات عنا | اتصل بنا | اطلب اقتباس |
الصفحة الرئيسية > منتجات > منتجات أشباه الموصلات المنفصلة > الترانزستورات - فيتس، موسيتس - واحدة > IXFT88N30P
IXFT88N30P
IXFT88N30P
رقم القطعة:
IXFT88N30P
الصانع:
IXYS Corporation
وصف:
MOSFET N-CH 300V 88A TO268
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
13890 Pieces
ورقة البيانات:
IXFT88N30P.pdf
تحقيق

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IXFT88N30P ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IXFT88N30P عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى IXFT88N30P مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:5V @ 4mA
تكنولوجيا:MOSFET (Metal Oxide)
تجار الأجهزة حزمة:TO-268
سلسلة:HiPerFET™, PolarP2™
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:40 mOhm @ 44A, 10V
تبديد الطاقة (ماكس):600W (Tc)
التعبئة والتغليف:Tube
حزمة / كيس:TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
درجة حرارة التشغيل:-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع:Surface Mount
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع المهلة القياسية:8 Weeks
الصانع الجزء رقم:IXFT88N30P
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:6300pF @ 25V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:180nC @ 10V
نوع FET:N-Channel
FET الميزة:-
وصف موسع:N-Channel 300V 88A (Tc) 600W (Tc) Surface Mount TO-268
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):300V
وصف:MOSFET N-CH 300V 88A TO268
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:88A (Tc)
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات

قطع الغيار ذات الصلة لIXFT88N30P

صورة رقم القطعة مصنعين وصف رأي
AOTF11C60P Image AOTF11C60P Alpha & Omega Semiconductor Inc. MOSFET N-CH تحقيق
NVD4804NT4G-VF01 Image NVD4804NT4G-VF01 ON Semiconductor MOSFET N-CH 30V 14A DPAK تحقيق
RSD046P05TL Image RSD046P05TL Rohm Semiconductor MOSFET P-CH 45V 4.5A CPT3 تحقيق
IRFR120_R4941 Image IRFR120_R4941 Fairchild/ON Semiconductor MOSFET N-CH 100V 8.4A TO-252AA تحقيق
IXFT80N10Q Image IXFT80N10Q IXYS MOSFET N-CH 100V 80A TO-268 تحقيق
IXFT80N08 Image IXFT80N08 IXYS MOSFET N-CH 80V 80A TO-268 تحقيق
IRLR2905PBF Infineon Technologies MOSFET N-CH 55V 42A DPAK تحقيق
DMN62D0UW-7 Image DMN62D0UW-7 Diodes Incorporated MOSFET N-CH 60V 0.34A تحقيق
IXFT88N28P IXYS MOSFET N-CH 280V 88A TO268 تحقيق
IRFH8324TR2PBF Image IRFH8324TR2PBF Infineon Technologies MOSFET N-CH 30V 18A 5X6 PQFN تحقيق
IXTQ60N30T Image IXTQ60N30T IXYS MOSFET N-CH 300V 60A TO-3P تحقيق
IXFT80N085 Image IXFT80N085 IXYS MOSFET N-CH 85V 80A TO-268 تحقيق
IXFT86N30T Image IXFT86N30T IXYS MOSFET N-CH 300V 86A TO268 تحقيق
IXFT80N15Q Image IXFT80N15Q IXYS MOSFET N-CH 150V 80A TO-268 تحقيق
IXFT80N20Q Image IXFT80N20Q IXYS MOSFET N-CH 200V 80A TO-268 تحقيق
IXFT80N30P3 IXYS MOSFET N-CH 300V 80A TO-268 تحقيق
IRLIZ34N Image IRLIZ34N Infineon Technologies MOSFET N-CH 55V 22A TO220FP تحقيق
DKI03062 Sanken MOSFET N-CH 30V 48A TO-252 تحقيق
BSO083N03MSGXUMA1 Image BSO083N03MSGXUMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 30V 11A 8DSO تحقيق

Latest الأخبار