يشترى IXFT86N30T مع BYCHPS
شراء مع ضمان
IXFT86N30T
- رقم القطعة:
- IXFT86N30T
- الصانع:
- IXYS Corporation
- وصف:
- MOSFET N-CH 300V 86A TO268
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 17262 Pieces
- ورقة البيانات:
- IXFT86N30T.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IXFT86N30T ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IXFT86N30T عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 5V @ 4mA |
|---|---|
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | TO-268 |
| سلسلة: | HiPerFET™, TrenchT2™ |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 43 mOhm @ 500mA, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 860W (Tc) |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 12 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | IXFT86N30T |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 11300pF @ 25V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 180nC @ 10V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | N-Channel 300V 86A (Tc) 860W (Tc) Surface Mount TO-268 |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 300V |
| وصف: | MOSFET N-CH 300V 86A TO268 |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 86A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لIXFT86N30T
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
IXFT80N30P3 | IXYS | MOSFET N-CH 300V 80A TO-268 | تحقيق |
 |
IXFT80N08 | IXYS | MOSFET N-CH 80V 80A TO-268 | تحقيق |
 |
NDT02N40T1G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 400V 0.4A SOT223 | تحقيق |
 |
IPD60R380P6BTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 3TO252 | تحقيق |
 |
NTMFS5H400NLT3G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 40V 46A SO8FL | تحقيق |
|
IXFT88N28P | IXYS | MOSFET N-CH 280V 88A TO268 | تحقيق |
 |
IRF630NPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 200V 9.3A TO-220AB | تحقيق |
 |
IRFS17N20DTRL | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 200V 16A D2PAK | تحقيق |
 |
IPP65R099C6XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 38A TO220 | تحقيق |
 |
NP80N06MLG-S18-AY | Renesas Electronics America | MOSFET N-CH 60V 80A TO-220 | تحقيق |
|
IXFT80N10Q | IXYS | MOSFET N-CH 100V 80A TO-268 | تحقيق |
 |
FDD86102LZ | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 100V 8A DPAK | تحقيق |
|
IXFT80N20Q | IXYS | MOSFET N-CH 200V 80A TO-268 | تحقيق |
|
IXFT80N085 | IXYS | MOSFET N-CH 85V 80A TO-268 | تحقيق |
|
IXFT80N15Q | IXYS | MOSFET N-CH 150V 80A TO-268 | تحقيق |
 |
2SK3745LS | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 1500V 2A TO-220FI | تحقيق |
 |
ZVN2535ASTOA | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 350V 0.09A TO92-3 | تحقيق |
|
IRF3315STRL | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 150V 21A D2PAK | تحقيق |
 |
NTS2101PT1G | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 8V 1.4A SOT-323 | تحقيق |
|
IXFT88N30P | IXYS | MOSFET N-CH 300V 88A TO268 | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog