يشترى IXFV26N60P مع BYCHPS
شراء مع ضمان
IXFV26N60P
- رقم القطعة:
- IXFV26N60P
- الصانع:
- IXYS Corporation
- وصف:
- MOSFET N-CH 600V 26A PLUS220
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 18537 Pieces
- ورقة البيانات:
- IXFV26N60P.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IXFV26N60P ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IXFV26N60P عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 5V @ 4mA |
|---|---|
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | PLUS220 |
| سلسلة: | PolarHV™ |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 270 mOhm @ 500mA, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 460W (Tc) |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | TO-220-3, Short Tab |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع الجزء رقم: | IXFV26N60P |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 4150pF @ 25V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 72nC @ 10V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | N-Channel 600V 26A (Tc) 460W (Tc) Through Hole PLUS220 |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 600V |
| وصف: | MOSFET N-CH 600V 26A PLUS220 |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 26A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لIXFV26N60P
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
TK35A08N1,S4X | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 80V 35A TO-220 | تحقيق |
 |
IXFH170N10P | IXYS | MOSFET N-CH 100V 170A TO-247 | تحقيق |
 |
IXFV20N80P | IXYS | MOSFET N-CH 800V 20A PLUS220 | تحقيق |
 |
IXFV22N60PS | IXYS | MOSFET N-CH 600V 22A PLUS220-SMD | تحقيق |
 |
BUK9515-100A,127 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 100V 75A TO220AB | تحقيق |
 |
IXFV22N60P | IXYS | MOSFET N-CH 600V 22A PLUS220 | تحقيق |
 |
IXTP1R4N120P | IXYS | MOSFET N-CH 1200V 1.4A TO-220 | تحقيق |
 |
IXFV26N50P | IXYS | MOSFET N-CH 500V 26A PLUS220 | تحقيق |
|
IXFV26N50PS | IXYS | MOSFET N-CH 500V 26A PLUS220-SMD | تحقيق |
 |
FQT4N25TF | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 250V 0.83A SOT-223 | تحقيق |
|
IXFV20N80PS | IXYS | MOSFET N-CH 800V 20A PLUS220SMD | تحقيق |
|
IXFV26N60PS | IXYS | MOSFET N-CH 600V 26A PLUS220-SMD | تحقيق |
 |
BSS126H6906XTSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 0.021A SOT23 | تحقيق |
 |
IXFV22N50P | IXYS | MOSFET N-CH 500V 22A PLUS220 | تحقيق |
|
IXFV22N50PS | IXYS | MOSFET N-CH 500V 22A PLUS220-SMD | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog