يشترى IXFX34N80 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
IXFX34N80
- رقم القطعة:
- IXFX34N80
- الصانع:
- IXYS Corporation
- وصف:
- MOSFET N-CH 800V 34A PLUS247
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 19695 Pieces
- ورقة البيانات:
- IXFX34N80.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IXFX34N80 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IXFX34N80 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 5V @ 8mA |
|---|---|
| فغس (ماكس): | ±20V |
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | PLUS247™-3 |
| سلسلة: | HiPerFET™ |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 240 mOhm @ 17A, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 560W (Tc) |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | TO-247-3 |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| الصانع المهلة القياسية: | 8 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | IXFX34N80 |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 7500pF @ 25V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 270nC @ 10V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | N-Channel 800V 34A (Tc) 560W (Tc) Through Hole PLUS247™-3 |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على): | 10V |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 800V |
| وصف: | MOSFET N-CH 800V 34A PLUS247 |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 34A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لIXFX34N80
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
IPP200N15N3GHKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 150V 50A TO220-3 | تحقيق |
 |
IXFX320N17T2 | IXYS | MOSFET N-CH 170V 320A PLUS247 | تحقيق |
|
IXFX32N100P | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 32A PLUS247 | تحقيق |
 |
IRL3715ZCSTRRP | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 20V 50A D2PAK | تحقيق |
|
IXFX30N50Q | IXYS | MOSFET N-CH 500V 30A PLUS247 | تحقيق |
|
IXFX30N100Q2 | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 30A PLUS247 | تحقيق |
 |
IXTH180N085T | IXYS | MOSFET N-CH 85V 180A TO-247 | تحقيق |
 |
IRF1010NL | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 85A TO-262 | تحقيق |
|
IXFX32N90P | IXYS | MOSFET N-CH 900V 32A PLUS247 | تحقيق |
|
IXFX360N15T2 | IXYS | MOSFET N-CH 150V 360A PLUS247 | تحقيق |
|
IXFX38N80Q2 | IXYS | MOSFET N-CH 800V 38A PLUS247 | تحقيق |
|
IXFX32N80Q3 | IXYS | MOSFET N-CH 800V 32A PLUS247 | تحقيق |
|
IXFX32N50 | IXYS | MOSFET N-CH 500V 32A PLUS247 | تحقيق |
 |
CSD16401Q5T | Texas Instruments | N-CHANNEL NEXFET POWER MOSFET | تحقيق |
|
IXFX32N100Q3 | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 32A PLUS247 | تحقيق |
|
IXFX360N10T | IXYS | MOSFET N-CH 100V 360A PLUS247 | تحقيق |
|
CSD16410Q5A | Texas Instruments | MOSFET N-CH 25V 59A 8-SON | تحقيق |
|
IXFX32N80P | IXYS | MOSFET N-CH 800V 32A PLUS247 | تحقيق |
|
IXFX32N50Q | IXYS | MOSFET N-CH 500V 32A PLUS247 | تحقيق |
|
IXFX30N110P | IXYS | MOSFET N-CH 1100V 30A PLUS247 | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog