العربية
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska✕
معلومات عنا | اتصل بنا | اطلب اقتباس |
الصفحة الرئيسية > منتجات > منتجات أشباه الموصلات المنفصلة > الترانزستورات - فيتس، موسيتس - واحدة > IXFX40N90P
IXFX40N90P
IXFX40N90P
رقم القطعة:
IXFX40N90P
الصانع:
IXYS Corporation
وصف:
MOSFET N-CH PLUS247
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
15797 Pieces
ورقة البيانات:
IXFX40N90P.pdf
تحقيق

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IXFX40N90P ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IXFX40N90P عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى IXFX40N90P مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:6.5V @ 1mA
فغس (ماكس):±30V
تكنولوجيا:MOSFET (Metal Oxide)
تجار الأجهزة حزمة:PLUS247™-3
سلسلة:HiPerFET™, PolarP2™
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:230 mOhm @ 20A, 10V
تبديد الطاقة (ماكس):960W (Tc)
التعبئة والتغليف:Tube
حزمة / كيس:TO-247-3
درجة حرارة التشغيل:-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع:Through Hole
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع المهلة القياسية:8 Weeks
الصانع الجزء رقم:IXFX40N90P
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:14000pF @ 25V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:230nC @ 10V
نوع FET:N-Channel
FET الميزة:-
وصف موسع:N-Channel 900V 40A (Tc) 960W (Tc) Through Hole PLUS247™-3
محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على):10V
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):900V
وصف:MOSFET N-CH PLUS247
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:40A (Tc)
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات

قطع الغيار ذات الصلة لIXFX40N90P

صورة رقم القطعة مصنعين وصف رأي
IXFX44N55Q Image IXFX44N55Q IXYS MOSFET N-CH 550V 44A PLUS247 تحقيق
IPP80N06S2H5AKSA1 Image IPP80N06S2H5AKSA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3 تحقيق
IRFB4137PBF Image IRFB4137PBF Infineon Technologies MOSFET N-CH 300V 38A TO-220PAK تحقيق
TK31N60W,S1VF Image TK31N60W,S1VF Toshiba Semiconductor and Storage MOSFET N CH 600V 30.8A TO247 تحقيق
BSP126,135 Image BSP126,135 Nexperia USA Inc. MOSFET N-CH 250V 375MA SOT223 تحقيق
IRLR3715TRLPBF Infineon Technologies MOSFET N-CH 20V 54A DPAK تحقيق
IXFX44N80P Image IXFX44N80P IXYS MOSFET N-CH 800V 44A PLUS247 تحقيق
BUZ31 E3046 Image BUZ31 E3046 Infineon Technologies MOSFET N-CH 200V 14.5A TO262-3 تحقيق
IRF610S Image IRF610S Vishay Siliconix MOSFET N-CH 200V 3.3A D2PAK تحقيق
IRFZ44STRL Image IRFZ44STRL Vishay Siliconix MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK تحقيق
HUFA76619D3ST Image HUFA76619D3ST Fairchild/ON Semiconductor MOSFET N-CH 100V 18A DPAK تحقيق
IXFX420N10T Image IXFX420N10T IXYS MOSFET N-CH 100V 420A PLUS247 تحقيق
IXFX48N50Q Image IXFX48N50Q IXYS MOSFET N-CH 500V 48A PLUS247 تحقيق
RJK6002DPD-00#J2 Image RJK6002DPD-00#J2 Renesas Electronics America MOSFET N-CH 600V 2A MP3A تحقيق
IXFX44N80Q3 Image IXFX44N80Q3 IXYS MOSFET N-CH 800V 44A PLUS247 تحقيق
IXFX44N50Q Image IXFX44N50Q IXYS MOSFET N-CH 500V 44A PLUS247 تحقيق
IXFX48N60Q3 Image IXFX48N60Q3 IXYS MOSFET N-CH 600V 48A PLUS247 تحقيق
SI3812DV-T1-E3 Image SI3812DV-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 20V 2A 6-TSOP تحقيق
IXFX44N60 Image IXFX44N60 IXYS MOSFET N-CH 600V 44A PLUS247 تحقيق
IXFX48N60P Image IXFX48N60P IXYS MOSFET N-CH 600V 48A PLUS247 تحقيق

Latest الأخبار