يشترى IXFX48N60P مع BYCHPS
شراء مع ضمان
IXFX48N60P
- رقم القطعة:
- IXFX48N60P
- الصانع:
- IXYS Corporation
- وصف:
- MOSFET N-CH 600V 48A PLUS247
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 14236 Pieces
- ورقة البيانات:
- IXFX48N60P.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IXFX48N60P ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IXFX48N60P عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 5V @ 8mA |
|---|---|
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | PLUS247™-3 |
| سلسلة: | HiPerFET™, PolarHT™ |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 135 mOhm @ 500mA, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 830W (Tc) |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | TO-247-3 |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 12 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | IXFX48N60P |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 8860pF @ 25V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 150nC @ 10V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | N-Channel 600V 48A (Tc) 830W (Tc) Through Hole PLUS247™-3 |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 600V |
| وصف: | MOSFET N-CH 600V 48A PLUS247 |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 48A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لIXFX48N60P
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
IRF634STRL | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 250V 8.1A D2PAK | تحقيق |
 |
2SK137400L | Panasonic Electronic Components | MOSFET N-CH 50V 50MA SMINI-3 | تحقيق |
 |
IXFX48N60Q3 | IXYS | MOSFET N-CH 600V 48A PLUS247 | تحقيق |
|
IXFX420N10T | IXYS | MOSFET N-CH 100V 420A PLUS247 | تحقيق |
|
IXFX48N50Q | IXYS | MOSFET N-CH 500V 48A PLUS247 | تحقيق |
|
IXFX40N90P | IXYS | MOSFET N-CH PLUS247 | تحقيق |
 |
STW20NM50FD | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 500V 20A TO-247 | تحقيق |
|
IXFX44N80Q3 | IXYS | MOSFET N-CH 800V 44A PLUS247 | تحقيق |
|
IXFX44N80P | IXYS | MOSFET N-CH 800V 44A PLUS247 | تحقيق |
|
IXFX44N50Q | IXYS | MOSFET N-CH 500V 44A PLUS247 | تحقيق |
 |
STU11N65M2 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 650V 7A IPAK | تحقيق |
|
IXFX44N55Q | IXYS | MOSFET N-CH 550V 44A PLUS247 | تحقيق |
|
IXFX44N60 | IXYS | MOSFET N-CH 600V 44A PLUS247 | تحقيق |
 |
STP130NH02L | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 24V 90A TO-220AB | تحقيق |
 |
IXTU64N055T | IXYS | MOSFET N-CH 55V 64A TO-251 | تحقيق |
 |
ZVP1320ASTZ | Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 200V 0.07A TO92-3 | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog