يشترى IXGQ50N60B4D1 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
IXGQ50N60B4D1
- رقم القطعة:
- IXGQ50N60B4D1
- الصانع:
- IXYS Corporation
- وصف:
- IGBT 600V 100A 300W TO3P
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 12141 Pieces
- ورقة البيانات:
- IXGQ50N60B4D1.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IXGQ50N60B4D1 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IXGQ50N60B4D1 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| الجهد - جامع باعث انهيار (ماكس): | 600V |
|---|---|
| VCE (على) (ماكس) @ Vge، جيم: | 1.8V @ 15V, 36A |
| اختبار حالة: | 400V, 36A, 10 Ohm, 15V |
| تد (تشغيل / إيقاف) @ 25 ° C: | 37ns/330ns |
| تحويل الطاقة: | 930µJ (on), 1mJ (off) |
| تجار الأجهزة حزمة: | TO-3P |
| سلسلة: | - |
| عكس وقت الاسترداد (TRR): | 25ns |
| السلطة - ماكس: | 300W |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | TO-3P-3, SC-65-3 |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع الجزء رقم: | IXGQ50N60B4D1 |
| نوع المدخلات: | Standard |
| نوع IGBT: | PT |
| بوابة المسؤول: | 110nC |
| وصف موسع: | IGBT PT 600V 100A 300W Through Hole TO-3P |
| وصف: | IGBT 600V 100A 300W TO3P |
| الحالي - جامع نابض (آي سي إم): | 230A |
| الحالي - جامع (IC) (ماكس): | 100A |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لIXGQ50N60B4D1
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
IXGQ50N60C4D1 | IXYS | IGBT 600V 90A 300W TO3P | تحقيق |
 |
IXST30N60BD1 | IXYS | IGBT 600V 55A 200W TO268 | تحقيق |
 |
IRG4BC10SD-LPBF | Infineon Technologies | IGBT 600V 14A 38W TO262 | تحقيق |
 |
ISL9V5036S3ST | Fairchild/ON Semiconductor | IGBT 390V 46A 250W TO263AB | تحقيق |
 |
IRGS4064DTRRPBF | Infineon Technologies | IGBT 600V 20A 101W D2PAK | تحقيق |
 |
IXYH30N120C3D1 | IXYS | IGBT 1200V 66A 416W TO247 | تحقيق |
|
IRGSL4B60KD1PBF | Infineon Technologies | IGBT 600V 11A 63W TO262 | تحقيق |
|
IRG4BC40W-S | Infineon Technologies | IGBT 600V 40A 160W D2PAK | تحقيق |
 |
NGTG12N60TF1G | ON Semiconductor | IGBT 600V 24A 54W TO-3PF | تحقيق |
|
IXYH75N65C3H1 | IXYS | IGBT 650V 170A 750W TO247 | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog