يشترى IXYH75N65C3H1 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
IXYH75N65C3H1
- رقم القطعة:
- IXYH75N65C3H1
- الصانع:
- IXYS Corporation
- وصف:
- IGBT 650V 170A 750W TO247
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 14114 Pieces
- ورقة البيانات:
- IXYH75N65C3H1.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IXYH75N65C3H1 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IXYH75N65C3H1 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| الجهد - جامع باعث انهيار (ماكس): | 650V |
|---|---|
| VCE (على) (ماكس) @ Vge، جيم: | 2.3V @ 15V, 60A |
| اختبار حالة: | 400V, 60A, 3 Ohm, 15V |
| تد (تشغيل / إيقاف) @ 25 ° C: | 27ns/93ns |
| تحويل الطاقة: | 2.8mJ (on), 1mJ (off) |
| تجار الأجهزة حزمة: | TO-247 (IXYH) |
| سلسلة: | GenX3™, XPT™ |
| عكس وقت الاسترداد (TRR): | 150ns |
| السلطة - ماكس: | 750W |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | TO-247-3 |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 12 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | IXYH75N65C3H1 |
| نوع المدخلات: | Standard |
| نوع IGBT: | PT |
| بوابة المسؤول: | 123nC |
| وصف موسع: | IGBT PT 650V 170A 750W Through Hole TO-247 (IXYH) |
| وصف: | IGBT 650V 170A 750W TO247 |
| الحالي - جامع نابض (آي سي إم): | 360A |
| الحالي - جامع (IC) (ماكس): | 170A |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لIXYH75N65C3H1
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
IXYH75N65C3 | IXYS | IGBT 650V 170A 750W TO247 | تحقيق |
 |
NGTB15N60R2FG | ON Semiconductor | IGBT 15A 600V TO220-3 | تحقيق |
 |
APT25GP120BDQ1G | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 69A 417W TO247 | تحقيق |
 |
IRG7CH46UED | Infineon Technologies | IGBT 1200V ULTRA FAST DIE | تحقيق |
 |
APT13GP120KG | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 41A 250W TO220 | تحقيق |
 |
IKD10N60RFATMA1 | Infineon Technologies | IGBT 600V 20A 150W PG-TO252-3 | تحقيق |
 |
STGW25H120F2 | STMicroelectronics | IGBT H-SERIES 1200V 25A TO-247 | تحقيق |
 |
IXDT30N120 | IXYS | IGBT 1200V 60A 300W TO268AA | تحقيق |
|
APT68GA60B | Microsemi Corporation | IGBT 600V 121A 520W TO-247 | تحقيق |
|
IRG4BAC50W-S | Infineon Technologies | IGBT 600V 55A 200W SUPER 220 | تحقيق |
 |
GN2470K4-G | Microchip Technology | IC IGBT 700V 3.5A 3DPAK | تحقيق |
 |
IXYP8N90C3D1 | IXYS | IGBT 900V 20A 125W TO220 | تحقيق |
 |
IRGSL6B60KDPBF | Infineon Technologies | IGBT 600V 13A 90W TO262 | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog