يشترى IXST40N60B2D1 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
IXST40N60B2D1
- رقم القطعة:
- IXST40N60B2D1
- الصانع:
- IXYS Corporation
- وصف:
- IGBT 600V 48A TO268
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 12050 Pieces
- ورقة البيانات:
- IXST40N60B2D1.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IXST40N60B2D1 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IXST40N60B2D1 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| الجهد - جامع باعث انهيار (ماكس): | 600V |
|---|---|
| VCE (على) (ماكس) @ Vge، جيم: | - |
| اختبار حالة: | - |
| تد (تشغيل / إيقاف) @ 25 ° C: | - |
| تحويل الطاقة: | - |
| تجار الأجهزة حزمة: | TO-268 |
| سلسلة: | - |
| السلطة - ماكس: | - |
| التعبئة والتغليف: | Bulk |
| حزمة / كيس: | TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA |
| درجة حرارة التشغيل: | - |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| الصانع الجزء رقم: | IXST40N60B2D1 |
| نوع المدخلات: | Standard |
| نوع IGBT: | PT |
| وصف موسع: | IGBT PT 600V 48A Surface Mount TO-268 |
| وصف: | IGBT 600V 48A TO268 |
| الحالي - جامع نابض (آي سي إم): | - |
| الحالي - جامع (IC) (ماكس): | 48A |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لIXST40N60B2D1
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
IXST40N60B | IXYS | IGBT 600V 75A 280W TO268 | تحقيق |
 |
IRGB4715DPBF | Infineon Technologies | IGBT 650V TO-220AB | تحقيق |
 |
IXGR50N60B2D1 | IXYS | IGBT 600V 68A 200W ISOPLUS247 | تحقيق |
 |
IHW40N120R3FKSA1 | Infineon Technologies | IGBT 1200V 80A 429W TO247-3 | تحقيق |
 |
IRGPC40FD2 | Infineon Technologies | IGBT W/DIODE 600V 49A TO-247AC | تحقيق |
 |
SGP02N120XKSA1 | Infineon Technologies | IGBT 1200V 6.2A 62W TO220-3 | تحقيق |
 |
NGTB40N65FL2WG | ON Semiconductor | IGBT 650V 80A 366W TO247 | تحقيق |
|
IXST45N120B | IXYS | IGBT 1200V 75A 300W TO268 | تحقيق |
 |
FGPF45N45TTU | Fairchild/ON Semiconductor | IGBT 450V 51.6W TO220F | تحقيق |
|
IRG4PC40FD | Infineon Technologies | IGBT 600V 49A 160W TO247AC | تحقيق |
 |
IXDH20N120D1 | IXYS | IGBT 1200V 38A 200W TO247AD | تحقيق |
 |
HGTG10N120BND | Fairchild/ON Semiconductor | IGBT 1200V 35A 298W TO247 | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog