يشترى IXTC180N085T مع BYCHPS
شراء مع ضمان
IXTC180N085T
- رقم القطعة:
- IXTC180N085T
- الصانع:
- IXYS Corporation
- وصف:
- MOSFET N-CH 85V 110A ISOPLUS220
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 17357 Pieces
- ورقة البيانات:
- 1.IXTC180N085T.pdf2.IXTC180N085T.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IXTC180N085T ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IXTC180N085T عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 4V @ 250µA |
|---|---|
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | ISOPLUS220™ |
| سلسلة: | - |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 6.1 mOhm @ 25A, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 150W (Tc) |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | ISOPLUS220™ |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع الجزء رقم: | IXTC180N085T |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 8800pF @ 25V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 170nC @ 10V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | N-Channel 85V 110A (Tc) 150W (Tc) Through Hole ISOPLUS220™ |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 85V |
| وصف: | MOSFET N-CH 85V 110A ISOPLUS220 |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 110A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لIXTC180N085T
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
IXTC160N085T | IXYS | MOSFET N-CH 85V 110A ISOPLUS 220 | تحقيق |
 |
IPD30N06S215ATMA2 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3 | تحقيق |
|
IXTC180N055T | IXYS | MOSFET N-CH 55V ISOPLUS 220 | تحقيق |
 |
IXTC160N10T | IXYS | MOSFET N-CH 100V 83A ISOPLUS220 | تحقيق |
 |
FDB5690 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 32A TO-263AB | تحقيق |
 |
IXTC180N10T | IXYS | MOSFET N-CH 100V 90A ISOPLUS220 | تحقيق |
 |
IPB60R060C7ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V TO263-3 | تحقيق |
|
IXTC102N25T | IXYS | MOSFET N-CH 250V ISOPLUS220 | تحقيق |
|
IXTC13N50 | IXYS | MOSFET N-CH 500V 12A ISOPLUS220 | تحقيق |
 |
IPSH6N03LB G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 50A IPAK | تحقيق |
|
IXTC110N25T | IXYS | MOSFET N-CH 250V 50A ISOPLUS220 | تحقيق |
|
IXTC102N20T | IXYS | MOSFET N-CH 200V ISOPLUS220 | تحقيق |
 |
VN0300L | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 200MA TO-92 | تحقيق |
|
IXTC130N15T | IXYS | MOSFET N-CH 150V ISOPLUS220 | تحقيق |
 |
SSM3K15ACT(TPL3) | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 30V 0.1A CST3 | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog