يشترى IPD30N06S215ATMA2 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
IPD30N06S215ATMA2
- رقم القطعة:
- IPD30N06S215ATMA2
- وصف:
- MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 12802 Pieces
- ورقة البيانات:
- IPD30N06S215ATMA2.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IPD30N06S215ATMA2 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IPD30N06S215ATMA2 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 4V @ 80µA |
|---|---|
| فغس (ماكس): | ±20V |
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | PG-TO252-3-11 |
| سلسلة: | OptiMOS™ |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 14.7 mOhm @ 30A, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 136W (Tc) |
| التعبئة والتغليف: | Original-Reel® |
| حزمة / كيس: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| اسماء اخرى: | IPD30N06S215ATMA2DKR |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 26 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | IPD30N06S215ATMA2 |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 1485pF @ 25V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 110nC @ 10V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | N-Channel 55V 30A (Tc) 136W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-11 |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على): | 10V |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 55V |
| وصف: | MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3 |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 30A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لIPD30N06S215ATMA2
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
IPD30N06S2L13ATMA4 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3 | تحقيق |
|
IPD30N06S223ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3 | تحقيق |
|
IPD30N06S2L-13 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3 | تحقيق |
|
IPD30N06S223ATMA2 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3 | تحقيق |
|
IPD30N06S2L23ATMA3 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3 | تحقيق |
|
IPD30N06S4L23ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 30A TO252-3 | تحقيق |
|
IPD30N06S2-15 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3 | تحقيق |
|
IPD30N06S4L23ATMA2 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 30A TO252-3 | تحقيق |
|
IPD30N06S2L23ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3 | تحقيق |
|
IPD30N08S2L-21 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 75V 30A TO252-3 | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog