IPD30N06S215ATMA2
IPD30N06S215ATMA2
رقم القطعة:
IPD30N06S215ATMA2
الصانع:
International Rectifier (Infineon Technologies)
وصف:
MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
12802 Pieces
ورقة البيانات:
IPD30N06S215ATMA2.pdf

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IPD30N06S215ATMA2 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IPD30N06S215ATMA2 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى IPD30N06S215ATMA2 مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:4V @ 80µA
فغس (ماكس):±20V
تكنولوجيا:MOSFET (Metal Oxide)
تجار الأجهزة حزمة:PG-TO252-3-11
سلسلة:OptiMOS™
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:14.7 mOhm @ 30A, 10V
تبديد الطاقة (ماكس):136W (Tc)
التعبئة والتغليف:Original-Reel®
حزمة / كيس:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
اسماء اخرى:IPD30N06S215ATMA2DKR
درجة حرارة التشغيل:-55°C ~ 175°C (TJ)
تصاعد نوع:Surface Mount
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع المهلة القياسية:26 Weeks
الصانع الجزء رقم:IPD30N06S215ATMA2
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:1485pF @ 25V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:110nC @ 10V
نوع FET:N-Channel
FET الميزة:-
وصف موسع:N-Channel 55V 30A (Tc) 136W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-11
محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على):10V
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):55V
وصف:MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:30A (Tc)
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات