العربية
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska✕
معلومات عنا | اتصل بنا | اطلب اقتباس |
الصفحة الرئيسية > منتجات > منتجات أشباه الموصلات المنفصلة > الترانزستورات - فيتس، موسيتس - واحدة > IXTH10P60
IXTH10P60
IXTH10P60
رقم القطعة:
IXTH10P60
الصانع:
IXYS Corporation
وصف:
MOSFET P-CH 600V 10A TO-247AD
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
19058 Pieces
ورقة البيانات:
IXTH10P60.pdf
تحقيق

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IXTH10P60 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IXTH10P60 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى IXTH10P60 مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:5V @ 250µA
فغس (ماكس):±20V
تكنولوجيا:MOSFET (Metal Oxide)
تجار الأجهزة حزمة:TO-247 (IXTH)
سلسلة:-
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:1 Ohm @ 5A, 10V
تبديد الطاقة (ماكس):300W (Tc)
التعبئة والتغليف:Tube
حزمة / كيس:TO-247-3
اسماء اخرى:Q1152201
درجة حرارة التشغيل:-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع:Through Hole
الصانع الجزء رقم:IXTH10P60
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:4700pF @ 25V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:160nC @ 10V
نوع FET:P-Channel
FET الميزة:-
وصف موسع:P-Channel 600V 10A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-247 (IXTH)
محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على):10V
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):600V
وصف:MOSFET P-CH 600V 10A TO-247AD
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:10A (Tc)
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات

قطع الغيار ذات الصلة لIXTH10P60

صورة رقم القطعة مصنعين وصف رأي
IXTH14N100 Image IXTH14N100 IXYS MOSFET N-CH 1000V 14A TO-247 تحقيق
IXTH10N100D2 Image IXTH10N100D2 IXYS MOSFET N-CH 1000V 10A TO-247 تحقيق
IXTH10N100D Image IXTH10N100D IXYS MOSFET N-CH 1000V 10A TO-247 تحقيق
IXTH102N20T Image IXTH102N20T IXYS MOSFET N-CH 200V 102A TO-247 تحقيق
IXTH102N15T Image IXTH102N15T IXYS MOSFET N-CH 150V 102A TO-247 تحقيق
IXTH10P50 Image IXTH10P50 IXYS MOSFET P-CH 500V 10A TO-247AD تحقيق
IXTH1N300P3HV Image IXTH1N300P3HV IXYS 2000V TO 3000V POLAR3 POWER MOSF تحقيق
IXTH10P50P Image IXTH10P50P IXYS MOSFET P-CH 500V 10A TO-247 تحقيق
IXTH12N90 Image IXTH12N90 IXYS MOSFET N-CH 900V 12A TO-247 تحقيق
IXTH102N25T Image IXTH102N25T IXYS MOSFET N-CH 250V 102A TO-247 تحقيق
IXTH140P10T Image IXTH140P10T IXYS MOSFET P-CH 100V 140A TO-247 تحقيق
IXTH160N10T Image IXTH160N10T IXYS MOSFET N-CH 100V 160A TO-247 تحقيق
IXTH16N50D2 Image IXTH16N50D2 IXYS MOSFET N-CH 500V 16A TO-247 تحقيق
IXTH12N120 Image IXTH12N120 IXYS MOSFET N-CH 1200V 12A TO-247 تحقيق
IXTH1N200P3 Image IXTH1N200P3 IXYS MOSFET N-CH 2000V 1A TO-247 تحقيق
IXTH12N100 Image IXTH12N100 IXYS MOSFET N-CH 1000V 12A TO-247 تحقيق
IXTH1N450HV Image IXTH1N450HV IXYS 2500V TO 4500V VERY HI VOLT PWR تحقيق

Latest الأخبار