يشترى IXTH1N200P3 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 4V @ 250µA |
---|---|
فغس (ماكس): | ±20V |
تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
تجار الأجهزة حزمة: | TO-247 (IXTH) |
سلسلة: | - |
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 40 Ohm @ 500mA, 10V |
تبديد الطاقة (ماكس): | 125W (Tc) |
التعبئة والتغليف: | Tube |
حزمة / كيس: | TO-247-3 |
درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
تصاعد نوع: | Through Hole |
مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
الصانع المهلة القياسية: | 8 Weeks |
الصانع الجزء رقم: | IXTH1N200P3 |
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 646pF @ 25V |
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 23.5nC @ 10V |
نوع FET: | N-Channel |
FET الميزة: | - |
وصف موسع: | N-Channel 2000V (2kV) 1A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-247 (IXTH) |
محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على): | 10V |
استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 2000V (2kV) |
وصف: | MOSFET N-CH 2000V 1A TO-247 |
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 1A (Tc) |
Email: | [email protected] |