يشترى IXTH130N10T مع BYCHPS
شراء مع ضمان
IXTH130N10T
- رقم القطعة:
- IXTH130N10T
- الصانع:
- IXYS Corporation
- وصف:
- MOSFET N-CH 100V 130A TO-247
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 18448 Pieces
- ورقة البيانات:
- IXTH130N10T.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IXTH130N10T ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IXTH130N10T عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 4.5V @ 250µA |
|---|---|
| فغس (ماكس): | ±20V |
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | TO-247 (IXTH) |
| سلسلة: | TrenchMV™ |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 9.1 mOhm @ 25A, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 360W (Tc) |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | TO-247-3 |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 8 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | IXTH130N10T |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 5080pF @ 25V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 104nC @ 10V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | N-Channel 100V 130A (Tc) 360W (Tc) Through Hole TO-247 (IXTH) |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على): | 10V |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 100V |
| وصف: | MOSFET N-CH 100V 130A TO-247 |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 130A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لIXTH130N10T
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
IXTH160N10T | IXYS | MOSFET N-CH 100V 160A TO-247 | تحقيق |
|
IXTH130N20T | IXYS | MOSFET N-CH 200V 130A TO-247 | تحقيق |
|
IXTH102N20T | IXYS | MOSFET N-CH 200V 102A TO-247 | تحقيق |
 |
IXTH1N450HV | IXYS | 2500V TO 4500V VERY HI VOLT PWR | تحقيق |
|
IXTH12N90 | IXYS | MOSFET N-CH 900V 12A TO-247 | تحقيق |
|
IXTH12N100 | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 12A TO-247 | تحقيق |
|
IXTH12N120 | IXYS | MOSFET N-CH 1200V 12A TO-247 | تحقيق |
|
IXTH16N50D2 | IXYS | MOSFET N-CH 500V 16A TO-247 | تحقيق |
|
IXTH1N200P3 | IXYS | MOSFET N-CH 2000V 1A TO-247 | تحقيق |
|
IXTH130N15T | IXYS | MOSFET N-CH 150V 130A TO-247 | تحقيق |
|
IXTH1N300P3HV | IXYS | 2000V TO 3000V POLAR3 POWER MOSF | تحقيق |
|
IXTH102N15T | IXYS | MOSFET N-CH 150V 102A TO-247 | تحقيق |
|
IXTH14N100 | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 14A TO-247 | تحقيق |
|
IXTH13N80 | IXYS | MOSFET N-CH 800V 13A TO-247 | تحقيق |
|
IXTH10P50P | IXYS | MOSFET P-CH 500V 10A TO-247 | تحقيق |
|
IXTH140P10T | IXYS | MOSFET P-CH 100V 140A TO-247 | تحقيق |
|
IXTH13N110 | IXYS | MOSFET N-CH 1.1KV 13A TO-247AD | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog