IXTH1N200P3HV
IXTH1N200P3HV
رقم القطعة:
IXTH1N200P3HV
الصانع:
IXYS Corporation
وصف:
MOSFET N-CH 2000V 1A TO-247HV
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
19370 Pieces
ورقة البيانات:
IXTH1N200P3HV.pdf

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IXTH1N200P3HV ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IXTH1N200P3HV عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى IXTH1N200P3HV مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:4V @ 250µA
فغس (ماكس):±20V
تكنولوجيا:MOSFET (Metal Oxide)
تجار الأجهزة حزمة:TO-247HV
سلسلة:-
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:40 Ohm @ 500mA, 10V
تبديد الطاقة (ماكس):125W (Tc)
التعبئة والتغليف:Tube
حزمة / كيس:TO-247-3 Variant
درجة حرارة التشغيل:-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع:Through Hole
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع المهلة القياسية:8 Weeks
الصانع الجزء رقم:IXTH1N200P3HV
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:646pF @ 25V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:23.5nC @ 10V
نوع FET:N-Channel
FET الميزة:-
وصف موسع:N-Channel 2000V (2kV) 1A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-247HV
محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على):10V
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):2000V (2kV)
وصف:MOSFET N-CH 2000V 1A TO-247HV
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:1A (Tc)
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات