العربية
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska✕
معلومات عنا | اتصل بنا | اطلب اقتباس |
الصفحة الرئيسية > منتجات > منتجات أشباه الموصلات المنفصلة > الترانزستورات - فيتس، موسيتس - واحدة > IXTH50P10
IXTH50P10
IXTH50P10
رقم القطعة:
IXTH50P10
الصانع:
IXYS Corporation
وصف:
MOSFET P-CH 100V 50A TO-247AD
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
16701 Pieces
ورقة البيانات:
IXTH50P10.pdf
تحقيق

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IXTH50P10 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IXTH50P10 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى IXTH50P10 مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:5V @ 250µA
فغس (ماكس):±20V
تكنولوجيا:MOSFET (Metal Oxide)
تجار الأجهزة حزمة:TO-247 (IXTH)
سلسلة:-
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:55 mOhm @ 25A, 10V
تبديد الطاقة (ماكس):300W (Tc)
التعبئة والتغليف:Tube
حزمة / كيس:TO-247-3
اسماء اخرى:606059
درجة حرارة التشغيل:-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع:Through Hole
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع المهلة القياسية:8 Weeks
الصانع الجزء رقم:IXTH50P10
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:4350pF @ 25V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:140nC @ 10V
نوع FET:P-Channel
FET الميزة:-
وصف موسع:P-Channel 100V 50A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-247 (IXTH)
محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على):10V
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):100V
وصف:MOSFET P-CH 100V 50A TO-247AD
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:50A (Tc)
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات

قطع الغيار ذات الصلة لIXTH50P10

صورة رقم القطعة مصنعين وصف رأي
IXTH50P085 Image IXTH50P085 IXYS MOSFET P-CH 85V 50A TO-247AD تحقيق
IXTH52P10P Image IXTH52P10P IXYS MOSFET P-CH 100V 52A TO-247 تحقيق
IXTH52N65X Image IXTH52N65X IXYS MOSFET N-CH 650V 52A TO-247 تحقيق
FDBL0630N150 Image FDBL0630N150 Fairchild/ON Semiconductor MOSFET N-CH 150V 169A H-PSOF8 تحقيق
IXTH56N15T Image IXTH56N15T IXYS MOSFET N-CH 150V 56A TO-247 تحقيق
IXTH5N100A Image IXTH5N100A IXYS MOSFET N-CH 1000V 5A TO247AD تحقيق
IXTH50N25T Image IXTH50N25T IXYS MOSFET N-CH 250V 50A TO-247 تحقيق
IXTH50N30 Image IXTH50N30 IXYS MOSFET N-CH 300V 50A TO-247 تحقيق
IRF7780MTRPBF Image IRF7780MTRPBF Infineon Technologies MOSFET N-CH 75V 89A تحقيق
IXTP28P065T Image IXTP28P065T IXYS MOSFET P-CH 65V 28A TO-220 تحقيق
IXTH54N30T Image IXTH54N30T IXYS MOSFET N-CH 300V 54A TO-247 تحقيق
IXTH50N20 Image IXTH50N20 IXYS MOSFET N-CH 200V 50A TO-247AD تحقيق
STF13NM60N Image STF13NM60N STMicroelectronics MOSFET N-CH 600V 11A TO-220FP تحقيق
SI7139DP-T1-GE3 Image SI7139DP-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 30V 40A PPAK SO-8 تحقيق
IXTH500N04T2 Image IXTH500N04T2 IXYS MOSFET N-CH 40V 500A TO-247 تحقيق

Latest الأخبار