يشترى IXTH52P10P مع BYCHPS
شراء مع ضمان
IXTH52P10P
- رقم القطعة:
- IXTH52P10P
- الصانع:
- IXYS Corporation
- وصف:
- MOSFET P-CH 100V 52A TO-247
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 12354 Pieces
- ورقة البيانات:
- IXTH52P10P.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IXTH52P10P ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IXTH52P10P عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 4.5V @ 250µA |
|---|---|
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | TO-247 (IXTH) |
| سلسلة: | PolarP™ |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 50 mOhm @ 500mA, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 300W (Tc) |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | TO-247-3 |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 8 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | IXTH52P10P |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 2845pF @ 25V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 60nC @ 10V |
| نوع FET: | P-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | P-Channel 100V 52A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-247 (IXTH) |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 100V |
| وصف: | MOSFET P-CH 100V 52A TO-247 |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 52A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لIXTH52P10P
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
NDT02N40T1G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 400V 0.4A SOT223 | تحقيق |
 |
IXTH50N25T | IXYS | MOSFET N-CH 250V 50A TO-247 | تحقيق |
 |
2SK3745LS | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 1500V 2A TO-220FI | تحقيق |
|
IXTH52N65X | IXYS | MOSFET N-CH 650V 52A TO-247 | تحقيق |
|
IXTH50N20 | IXYS | MOSFET N-CH 200V 50A TO-247AD | تحقيق |
 |
IPD60R380P6BTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 3TO252 | تحقيق |
 |
NP80N06MLG-S18-AY | Renesas Electronics America | MOSFET N-CH 60V 80A TO-220 | تحقيق |
|
IXTH54N30T | IXYS | MOSFET N-CH 300V 54A TO-247 | تحقيق |
|
IXTH5N100A | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 5A TO247AD | تحقيق |
 |
IPP65R099C6XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 38A TO220 | تحقيق |
|
IXTH50P10 | IXYS | MOSFET P-CH 100V 50A TO-247AD | تحقيق |
 |
NTS2101PT1G | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 8V 1.4A SOT-323 | تحقيق |
|
IXTH500N04T2 | IXYS | MOSFET N-CH 40V 500A TO-247 | تحقيق |
|
IXTH50N30 | IXYS | MOSFET N-CH 300V 50A TO-247 | تحقيق |
|
IXTH50P085 | IXYS | MOSFET P-CH 85V 50A TO-247AD | تحقيق |
|
IXTH56N15T | IXYS | MOSFET N-CH 150V 56A TO-247 | تحقيق |
 |
IRF3315STRL | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 150V 21A D2PAK | تحقيق |
 |
FDD86102LZ | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 100V 8A DPAK | تحقيق |
|
IRFS17N20DTRL | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 200V 16A D2PAK | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog