يشترى IXTH86N20T مع BYCHPS
شراء مع ضمان
IXTH86N20T
- رقم القطعة:
- IXTH86N20T
- الصانع:
- IXYS Corporation
- وصف:
- MOSFET N-CH 200V 86A TO-247
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 17959 Pieces
- ورقة البيانات:
- IXTH86N20T.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IXTH86N20T ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IXTH86N20T عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | - |
|---|---|
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | TO-247 (IXTH) |
| سلسلة: | - |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | - |
| تبديد الطاقة (ماكس): | - |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | TO-247-3 |
| درجة حرارة التشغيل: | - |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 8 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | IXTH86N20T |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | - |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | - |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | N-Channel 200V 86A (Tc) Through Hole TO-247 (IXTH) |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 200V |
| وصف: | MOSFET N-CH 200V 86A TO-247 |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 86A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لIXTH86N20T
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
APT26F120B2 | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1200V 27A T-MAX | تحقيق |
 |
IXTH88N15 | IXYS | MOSFET N-CH 150V 88A TO-247AD | تحقيق |
 |
FQI3N30TU | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 300V 3.2A I2PAK | تحقيق |
 |
IRL1404ZSPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK | تحقيق |
|
IXTH88N30P | IXYS | MOSFET N-CH 300V 88A TO-247 | تحقيق |
 |
IXFP270N06T3 | IXYS | 60V/270A TRENCHT3 HIPERFET MOSFE | تحقيق |
|
IXTH80N075L2 | IXYS | MOSFET N-CH 75V 80A TO247 | تحقيق |
 |
TPH5R906NH,L1Q | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N CH 60V 28A 8-SOP ADV | تحقيق |
 |
STF2N62K3 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 620V 2.2A TO-220FP | تحقيق |
 |
SI7413DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 20V 8.4A PPAK 1212-8 | تحقيق |
|
IRL5602STRL | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 20V 24A D2PAK | تحقيق |
 |
BUK765R3-40E,118 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK | تحقيق |
|
IXTH80N20L | IXYS | MOSFET N-CH 200V 80A TO-247 | تحقيق |
 |
IRFU9N20D | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 200V 9.4A I-PAK | تحقيق |
|
FDU8870 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 160A I-PAK | تحقيق |
|
IXTH8P50 | IXYS | MOSFET P-CH 500V 8A TO-247 | تحقيق |
 |
JANTX2N6796U | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 100V 8A | تحقيق |
|
BUK761R8-30C,118 | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK | تحقيق |
|
IXTH80N65X2 | IXYS | MOSFET N-CH 650V 80A TO-247 | تحقيق |
 |
TK8S06K3L(T6L1,NQ) | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 60V 8A DPAK-3 | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog