يشترى IXTH96N20P مع BYCHPS
شراء مع ضمان
IXTH96N20P
- رقم القطعة:
- IXTH96N20P
- الصانع:
- IXYS Corporation
- وصف:
- MOSFET N-CH 200V 96A TO-247
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 17384 Pieces
- ورقة البيانات:
- IXTH96N20P.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IXTH96N20P ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IXTH96N20P عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 5V @ 250µA |
|---|---|
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | TO-247 (IXTH) |
| سلسلة: | PolarHT™ |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 24 mOhm @ 500mA, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 600W (Tc) |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | TO-247-3 |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 8 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | IXTH96N20P |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 4800pF @ 25V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 145nC @ 10V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | N-Channel 200V 96A (Tc) 600W (Tc) Through Hole TO-247 (IXTH) |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 200V |
| وصف: | MOSFET N-CH 200V 96A TO-247 |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 96A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لIXTH96N20P
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
IXTA2N100P | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 2A TO-263 | تحقيق |
 |
AUIRFS3004-7TRL | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 240A D2PAK-7P | تحقيق |
 |
IXTH96P085T | IXYS | MOSFET P-CH 85V 96A TO-247 | تحقيق |
|
IXTH90P10P | IXYS | MOSFET P-CH 100V 90A TO-247 | تحقيق |
 |
DMT6005LSS-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CHA 60V 13.5A SO8 | تحقيق |
|
IXTH90N15T | IXYS | MOSFET N-CH 150V 90A TO247 | تحقيق |
 |
RSS100N03TB | Rohm Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 10A 8-SOIC | تحقيق |
 |
FCD3400N80Z | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 800V 2A D2PAK | تحقيق |
 |
STF80N10F7 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 100V 40A TO-220FP | تحقيق |
|
IXTH96N25T | IXYS | MOSFET N-CH 250V 96A TO-247 | تحقيق |
 |
SUD50N06-07L-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 60V 96A TO252 | تحقيق |
 |
IPS06N03LZ G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 25V 50A IPAK | تحقيق |
 |
IRLB4132PBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 78A TO220 | تحقيق |
|
IRF1607 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 75V 142A TO-220AB | تحقيق |
 |
IRF737LCSTRR | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 300V 6.1A D2PAK | تحقيق |
 |
SIHG460B-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 500V 20A TO-247AC | تحقيق |
|
IXTH98N20T | IXYS | MOSFET N-CH 200V 98A TO-247 | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog