العربية
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska✕
معلومات عنا | اتصل بنا | اطلب اقتباس |
الصفحة الرئيسية > منتجات > منتجات أشباه الموصلات المنفصلة > الترانزستورات - فيتس، موسيتس - واحدة > IXTH96P085T
IXTH96P085T
IXTH96P085T
رقم القطعة:
IXTH96P085T
الصانع:
IXYS Corporation
وصف:
MOSFET P-CH 85V 96A TO-247
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
15701 Pieces
ورقة البيانات:
IXTH96P085T.pdf
تحقيق

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IXTH96P085T ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IXTH96P085T عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى IXTH96P085T مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:4V @ 250µA
فغس (ماكس):±15V
تكنولوجيا:MOSFET (Metal Oxide)
تجار الأجهزة حزمة:TO-247 (IXTH)
سلسلة:TrenchP™
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:13 mOhm @ 500mA, 10V
تبديد الطاقة (ماكس):298W (Tc)
التعبئة والتغليف:Tube
حزمة / كيس:TO-247-3
درجة حرارة التشغيل:-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع:Through Hole
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع المهلة القياسية:8 Weeks
الصانع الجزء رقم:IXTH96P085T
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:13100pF @ 25V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:180nC @ 10V
نوع FET:P-Channel
FET الميزة:-
وصف موسع:P-Channel 85V 96A (Tc) 298W (Tc) Through Hole TO-247 (IXTH)
محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على):10V
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):85V
وصف:MOSFET P-CH 85V 96A TO-247
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:96A (Tc)
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات

قطع الغيار ذات الصلة لIXTH96P085T

صورة رقم القطعة مصنعين وصف رأي
AOK40N30L Image AOK40N30L Alpha & Omega Semiconductor Inc. MOSFET N-CH 300V 40A TO247 تحقيق
FDP150N10A Fairchild/ON Semiconductor MOSFET N-CH 100V 50A TO-220-3 تحقيق
SI4876DY-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 20V 14A 8-SOIC تحقيق
SPP16N50C3HKSA1 Image SPP16N50C3HKSA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 560V 16A TO-220AB تحقيق
IXTH96N20P Image IXTH96N20P IXYS MOSFET N-CH 200V 96A TO-247 تحقيق
IXTH96N25T Image IXTH96N25T IXYS MOSFET N-CH 250V 96A TO-247 تحقيق
STB25NM60N Image STB25NM60N STMicroelectronics MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK تحقيق
IXTH90P10P Image IXTH90P10P IXYS MOSFET P-CH 100V 90A TO-247 تحقيق
IRF7321D2 Image IRF7321D2 Infineon Technologies MOSFET P-CH 30V 4.7A 8-SOIC تحقيق
IXTH98N20T Image IXTH98N20T IXYS MOSFET N-CH 200V 98A TO-247 تحقيق
IXTH90N15T Image IXTH90N15T IXYS MOSFET N-CH 150V 90A TO247 تحقيق
SCH1436-TL-W Image SCH1436-TL-W ON Semiconductor MOSFET N-CH 30V 1.8A SOT563 تحقيق
BUK964R7-80E,118 Image BUK964R7-80E,118 Nexperia USA Inc. MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK تحقيق
JANTXV2N6758 Microsemi Corporation MOSFET N-CH 200V 9A تحقيق
IRF7207 Image IRF7207 Infineon Technologies MOSFET P-CH 20V 5.4A 8-SOIC تحقيق
IRFR4104TRR Infineon Technologies MOSFET N-CH 40V 42A DPAK تحقيق
RS1E280GNTB Image RS1E280GNTB Rohm Semiconductor MOSFET N-CH 30V 28A 8-HSOP تحقيق
NTB30N20T4G Image NTB30N20T4G ON Semiconductor MOSFET N-CH 200V 30A D2PAK تحقيق

Latest الأخبار