العربية
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska✕
معلومات عنا | اتصل بنا | اطلب اقتباس |
الصفحة الرئيسية > منتجات > منتجات أشباه الموصلات المنفصلة > الترانزستورات - فيتس، موسيتس - واحدة > IXTK200N10L2
IXTK200N10L2
IXTK200N10L2
رقم القطعة:
IXTK200N10L2
الصانع:
IXYS Corporation
وصف:
MOSFET N-CH 100V 200A TO-264
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
13795 Pieces
ورقة البيانات:
IXTK200N10L2.pdf
تحقيق

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IXTK200N10L2 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IXTK200N10L2 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى IXTK200N10L2 مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:4.5V @ 3mA
فغس (ماكس):±20V
تكنولوجيا:MOSFET (Metal Oxide)
تجار الأجهزة حزمة:TO-264 (IXTK)
سلسلة:Linear L2™
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:11 mOhm @ 100A, 10V
تبديد الطاقة (ماكس):1040W (Tc)
التعبئة والتغليف:Tube
حزمة / كيس:TO-264-3, TO-264AA
اسماء اخرى:Q7017004
درجة حرارة التشغيل:-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع:Through Hole
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع المهلة القياسية:8 Weeks
الصانع الجزء رقم:IXTK200N10L2
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:23000pF @ 25V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:540nC @ 10V
نوع FET:N-Channel
FET الميزة:-
وصف موسع:N-Channel 100V 200A (Tc) 1040W (Tc) Through Hole TO-264 (IXTK)
محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على):10V
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):100V
وصف:MOSFET N-CH 100V 200A TO-264
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:200A (Tc)
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات

قطع الغيار ذات الصلة لIXTK200N10L2

صورة رقم القطعة مصنعين وصف رأي
SQR70090ELR_GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 100V 86A DPAK تحقيق
STW69N65M5-4 Image STW69N65M5-4 STMicroelectronics MOSFET N-CH 650V 58A TO-247-4 تحقيق
IXTK200N10P Image IXTK200N10P IXYS MOSFET N-CH 100V 200A TO-264 تحقيق
IRFR9024NTRRPBF Infineon Technologies MOSFET P-CH 55V 11A DPAK تحقيق
IXTK250N10 Image IXTK250N10 IXYS MOSFET N-CH 100V 250A TO-264AA تحقيق
IXTK20N150 Image IXTK20N150 IXYS MOSFET N-CH 1500V 20A TO-264 تحقيق
TPCC8009,LQ(O Toshiba Semiconductor and Storage MOSFET N-CH 30V 24A 8TSON-ADV تحقيق
IXTK21N100 Image IXTK21N100 IXYS MOSFET N-CH 1000V 21A TO-264 تحقيق
HUF76609D3S Image HUF76609D3S Fairchild/ON Semiconductor MOSFET N-CH 100V 10A DPAK تحقيق
SI7135DP-T1-GE3 Image SI7135DP-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 30V 60A PPAK SO-8 تحقيق
IRFIB5N65APBF Image IRFIB5N65APBF Vishay Siliconix MOSFET N-CH 650V 5.1A TO220FP تحقيق
FDMS2506SDC Fairchild/ON Semiconductor MOSFET N-CH 25V 39A POWER56 تحقيق
IPI60R299CPXKSA1 Image IPI60R299CPXKSA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 600V 11A I2PAK تحقيق
IXTK22N100L Image IXTK22N100L IXYS MOSFET N-CH 1000V 22A TO-264 تحقيق
FQD4N20TM Image FQD4N20TM Fairchild/ON Semiconductor MOSFET N-CH 200V 3A DPAK تحقيق

Latest الأخبار