يشترى IXTK200N10P مع BYCHPS
شراء مع ضمان
IXTK200N10P
- رقم القطعة:
- IXTK200N10P
- الصانع:
- IXYS Corporation
- وصف:
- MOSFET N-CH 100V 200A TO-264
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 14243 Pieces
- ورقة البيانات:
- IXTK200N10P.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IXTK200N10P ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IXTK200N10P عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 5V @ 500µA |
|---|---|
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | TO-264 (IXTK) |
| سلسلة: | PolarHT™ |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 7.5 mOhm @ 100A, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 800W (Tc) |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | TO-264-3, TO-264AA |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 8 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | IXTK200N10P |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 7600pF @ 25V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 240nC @ 10V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | N-Channel 100V 200A (Tc) 800W (Tc) Through Hole TO-264 (IXTK) |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 100V |
| وصف: | MOSFET N-CH 100V 200A TO-264 |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 200A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لIXTK200N10P
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
IXTK200N10L2 | IXYS | MOSFET N-CH 100V 200A TO-264 | تحقيق |
 |
HUFA76445S3S | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK | تحقيق |
 |
SPW35N60CFDFKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 34.1A TO-247 | تحقيق |
 |
IPB80N06S207ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3 | تحقيق |
 |
IRF7704GTRPBF | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 40V 4.6A 8-TSSOP | تحقيق |
|
HUF75631S3ST | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 100V 33A D2PAK | تحقيق |
|
IXTK250N10 | IXYS | MOSFET N-CH 100V 250A TO-264AA | تحقيق |
|
IXTK22N100L | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 22A TO-264 | تحقيق |
|
IXTK20N150 | IXYS | MOSFET N-CH 1500V 20A TO-264 | تحقيق |
 |
SI1488DH-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 20V 6.1A SC70-6 | تحقيق |
|
IXTK21N100 | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 21A TO-264 | تحقيق |
 |
FQD1N60CTF | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 1A DPAK | تحقيق |
 |
TK10A80E,S4X | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 800V TO220SIS | تحقيق |
 |
IXTT40N50L2 | IXYS | MOSFET N-CH 500V 40A TO-268 | تحقيق |
 |
NTMFS4H02NT1G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 25V 37A SO8FL | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog