العربية
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska✕
معلومات عنا | اتصل بنا | اطلب اقتباس |
الصفحة الرئيسية > منتجات > منتجات أشباه الموصلات المنفصلة > الترانزستورات - فيتس، موسيتس - واحدة > IXTK600N04T2
IXTK600N04T2
IXTK600N04T2
رقم القطعة:
IXTK600N04T2
الصانع:
IXYS Corporation
وصف:
MOSFET N-CH 40V 600A TO-264
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
13970 Pieces
ورقة البيانات:
IXTK600N04T2.pdf
تحقيق

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IXTK600N04T2 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IXTK600N04T2 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى IXTK600N04T2 مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:3.5V @ 250µA
تكنولوجيا:MOSFET (Metal Oxide)
تجار الأجهزة حزمة:TO-264 (IXTK)
سلسلة:FRFET®, SupreMOS®
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:1.5 mOhm @ 100A, 10V
تبديد الطاقة (ماكس):1250W (Tc)
التعبئة والتغليف:Tube
حزمة / كيس:TO-264-3, TO-264AA
درجة حرارة التشغيل:-55°C ~ 175°C (TJ)
تصاعد نوع:Through Hole
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع المهلة القياسية:8 Weeks
الصانع الجزء رقم:IXTK600N04T2
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:40000pF @ 25V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:590nC @ 10V
نوع FET:N-Channel
FET الميزة:-
وصف موسع:N-Channel 40V 600A (Tc) 1250W (Tc) Through Hole TO-264 (IXTK)
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):40V
وصف:MOSFET N-CH 40V 600A TO-264
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:600A (Tc)
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات

قطع الغيار ذات الصلة لIXTK600N04T2

صورة رقم القطعة مصنعين وصف رأي
IXTK60N50L2 Image IXTK60N50L2 IXYS MOSFET N-CH 500V 60A TO-264 تحقيق
IRFS7530TRL7PP Image IRFS7530TRL7PP Infineon Technologies MOSFET N CH 60V 240A D2PAK تحقيق
STFI9N80K5 Image STFI9N80K5 STMicroelectronics MOSFET N-CH 800V 7A I2PAKFP تحقيق
STP5NK65Z Image STP5NK65Z STMicroelectronics MOSFET N-CH 650V 5A TO-220FP تحقيق
IXFN240N15T2 Image IXFN240N15T2 IXYS MOSFET N-CH 150V 240A SOT227 تحقيق
SI7848BDP-T1-GE3 Image SI7848BDP-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 40V 47A PPAK SO-8 تحقيق
IXTK62N25 Image IXTK62N25 IXYS MOSFET N-CH 250V 62A TO-264 تحقيق
IRF644NPBF Image IRF644NPBF Vishay Siliconix MOSFET N-CH 250V 14A TO-220AB تحقيق
NDC631N Image NDC631N Fairchild/ON Semiconductor MOSFET N-CH 20V 4.1A SSOT-6 تحقيق
STL31N65M5 Image STL31N65M5 STMicroelectronics MOSFET N-CH 650V 15A POWERFLAT تحقيق
TPCF8102(TE85L,F,M Toshiba Semiconductor and Storage MOSFET P-CH 20V 6A VS8 2-3U1A تحقيق
IXTK80N25 Image IXTK80N25 IXYS MOSFET N-CH 250V 80A TO-264 تحقيق
2N7002AQ-13 Diodes Incorporated MOSFET NCH 60V 180MA SOT23 تحقيق
BUK653R5-55C,127 Image BUK653R5-55C,127 NXP USA Inc. MOSFET N-CH 55V 120A TO220AB تحقيق
IRFR430ATRLPBF Image IRFR430ATRLPBF Vishay Siliconix MOSFET N-CH 500V 5A DPAK تحقيق
TPH3208LS Image TPH3208LS Transphorm GAN FET 650V 20A PQFN88 تحقيق
NTD4906N-1G Image NTD4906N-1G ON Semiconductor MOSFET N-CH 30V 54A SGL IPAK تحقيق
IRLML6402TRPBF Image IRLML6402TRPBF Infineon Technologies MOSFET P-CH 20V 3.7A SOT-23 تحقيق
SI2372DS-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CHAN 30V SOT23 تحقيق

Latest الأخبار