العربية
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska✕
معلومات عنا | اتصل بنا | اطلب اقتباس |
الصفحة الرئيسية > منتجات > منتجات أشباه الموصلات المنفصلة > الترانزستورات - فيتس، موسيتس - واحدة > IXTN200N10T
IXTN200N10T
IXTN200N10T
رقم القطعة:
IXTN200N10T
الصانع:
IXYS Corporation
وصف:
MOSFET N-CH 100V 200A SOT-227
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
12196 Pieces
ورقة البيانات:
IXTN200N10T.pdf
تحقيق

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IXTN200N10T ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IXTN200N10T عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى IXTN200N10T مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:4.5V @ 250µA
تكنولوجيا:MOSFET (Metal Oxide)
تجار الأجهزة حزمة:SOT-227B
سلسلة:TrenchMV™
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:5.5 mOhm @ 50A, 10V
تبديد الطاقة (ماكس):550W (Tc)
التعبئة والتغليف:Tube
حزمة / كيس:SOT-227-4, miniBLOC
درجة حرارة التشغيل:-55°C ~ 175°C (TJ)
تصاعد نوع:Chassis Mount
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع المهلة القياسية:8 Weeks
الصانع الجزء رقم:IXTN200N10T
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:9400pF @ 25V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:152nC @ 10V
نوع FET:N-Channel
FET الميزة:-
وصف موسع:N-Channel 100V 200A 550W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):100V
وصف:MOSFET N-CH 100V 200A SOT-227
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:200A
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات

قطع الغيار ذات الصلة لIXTN200N10T

صورة رقم القطعة مصنعين وصف رأي
IXTN22N100L Image IXTN22N100L IXYS MOSFET N-CH 1000V 22A SOT-227 تحقيق
IXTN210P10T Image IXTN210P10T IXYS MOSFET P-CH 100V 210A SOT-227 تحقيق
IXTN200N10L2 Image IXTN200N10L2 IXYS MOSFET N-CH 100V 178A SOT-227 تحقيق
DMN2230UQ-13 Diodes Incorporated MOSFET NCH 20V 2A SOT23 تحقيق
IRFU014 Image IRFU014 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 60V 7.7A I-PAK تحقيق
IRF7580MTRPBF Image IRF7580MTRPBF Infineon Technologies MOSFET N-CH 60V 114A DIRECTFET تحقيق
SQJA80EP-T1_GE3 Image SQJA80EP-T1_GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 80V 60A SO8 تحقيق
RRS100P03TB1 Image RRS100P03TB1 Rohm Semiconductor MOSFET P-CH 30V 10A 8SOIC تحقيق
STP200NF04L Image STP200NF04L STMicroelectronics MOSFET N-CH 40V 120A TO-220 تحقيق
QS5U21TR Image QS5U21TR Rohm Semiconductor MOSFET P-CH 20V 1.5A TSMT5 تحقيق
IRFB3307ZPBF Image IRFB3307ZPBF Infineon Technologies MOSFET N-CH 75V 120A TO-220AB تحقيق
STP25N60M2-EP Image STP25N60M2-EP STMicroelectronics MOSFET N-CH 600V 18A EP TO220AB تحقيق
FQP13N50C Fairchild/ON Semiconductor MOSFET N-CH 500V 13A TO-220 تحقيق
IPP052N06L3GXKSA1 Image IPP052N06L3GXKSA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 60V 80A TO220-3 تحقيق
2SK3044 Image 2SK3044 Panasonic Electronic Components MOSFET N-CH 450V 7A TO-220D تحقيق
IXTN21N100 Image IXTN21N100 IXYS MOSFET N-CH 1KV 21A SOT-227B تحقيق

Latest الأخبار