يشترى IXTN210P10T مع BYCHPS
شراء مع ضمان
IXTN210P10T
- رقم القطعة:
- IXTN210P10T
- الصانع:
- IXYS Corporation
- وصف:
- MOSFET P-CH 100V 210A SOT-227
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 17245 Pieces
- ورقة البيانات:
- IXTN210P10T.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IXTN210P10T ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IXTN210P10T عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 4.5V @ 250µA |
|---|---|
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | SOT-227B |
| سلسلة: | TrenchP™ |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 7.5 mOhm @ 105A, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 830W (Tc) |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | SOT-227-4, miniBLOC |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Chassis Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 10 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | IXTN210P10T |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 69500pF @ 25V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 740nC @ 10V |
| نوع FET: | P-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | P-Channel 100V 210A 830W (Tc) Chassis Mount SOT-227B |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 100V |
| وصف: | MOSFET P-CH 100V 210A SOT-227 |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 210A |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لIXTN210P10T
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
IRF1503LPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 75A TO-262 | تحقيق |
 |
IPL60R185P7AUMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 19A VSON-4 | تحقيق |
 |
BSP320SL6433HTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 2.9A SOT-223 | تحقيق |
 |
BSH207,135 | Nexperia USA Inc. | MOSFET P-CH 12V 1.52A 6TSOP | تحقيق |
 |
IRF9Z34NPBF | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 55V 19A TO-220AB | تحقيق |
 |
IXTN21N100 | IXYS | MOSFET N-CH 1KV 21A SOT-227B | تحقيق |
 |
FDMS5672 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 10.6A POWER56 | تحقيق |
 |
IRF9620STRR | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 200V 3.5A D2PAK | تحقيق |
|
IXTN200N10T | IXYS | MOSFET N-CH 100V 200A SOT-227 | تحقيق |
|
IXTN200N10L2 | IXYS | MOSFET N-CH 100V 178A SOT-227 | تحقيق |
|
IXTN22N100L | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 22A SOT-227 | تحقيق |
 |
IXTA182N055T | IXYS | MOSFET N-CH 55V 182A TO-263 | تحقيق |
 |
AOTF2910L | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N-CH 100V 22A TO220 | تحقيق |
 |
SIHS90N65E-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 650V 87A SUPER247 | تحقيق |
 |
DMN2020UFCL-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 20V 9A 6DFN | تحقيق |
 |
PSMN4R5-40BS,118 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 40V 100A D2PAK | تحقيق |
|
IXTA1N100 | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 1.5A TO-263 | تحقيق |
 |
SIB417DK-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 8V 9A SC75-6 | تحقيق |
 |
IRF9317TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 30V 16A 8-SOIC | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog