يشترى IXTP02N50D مع BYCHPS
شراء مع ضمان
IXTP02N50D
- رقم القطعة:
- IXTP02N50D
- الصانع:
- IXYS Corporation
- وصف:
- MOSFET N-CH 500V 0.2A TO-220
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 12563 Pieces
- ورقة البيانات:
- IXTP02N50D.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IXTP02N50D ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IXTP02N50D عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 5V @ 25µA |
|---|---|
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | TO-220AB |
| سلسلة: | - |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 30 Ohm @ 50mA, 0V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 1.1W (Ta), 25W (Tc) |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | TO-220-3 |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع الجزء رقم: | IXTP02N50D |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 120pF @ 25V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | - |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | Depletion Mode |
| وصف موسع: | N-Channel 500V 200mA (Tc) 1.1W (Ta), 25W (Tc) Through Hole TO-220AB |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 500V |
| وصف: | MOSFET N-CH 500V 0.2A TO-220 |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 200mA (Tc) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لIXTP02N50D
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
IXTP05N100P | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 500MA TO-263 | تحقيق |
|
IXTP08N100P | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 800MA TO-220 | تحقيق |
|
IXTP05N100 | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 0.75A TO-220 | تحقيق |
|
IXTP08N100D2 | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 0.8A TO220AB | تحقيق |
|
IXTP06N120P | IXYS | MOSFET N-CH 1200V 600MA TO-220 | تحقيق |
 |
SUP28N15-52-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 150V 28A TO220AB | تحقيق |
|
IXTP08N50D2 | IXYS | MOSFET N-CH 500V 800MA TO220AB | تحقيق |
 |
DMP3130LQ-7 | Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 30V 3.5A SOT23 | تحقيق |
|
IXTP08N120P | IXYS | MOSFET N-CH 1200V 800MA TO-220 | تحقيق |
 |
SI4493DY-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 20V 10A 8SOIC | تحقيق |
 |
IPD65R380E6ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 10.6A TO252 | تحقيق |
|
IXTP01N100D | IXYS | MOSFET N-CH 1KV .1A TO-220AB | تحقيق |
 |
SSM3K361R,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | SMALL-SIGNAL NCH MOSFET SOT23F Q | تحقيق |
|
IXTP02N120P | IXYS | MOSFET N-CH 1200V 0.2A TO-220 | تحقيق |
 |
RFP3055LE | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 11A TO-220AB | تحقيق |
|
IXTP05N100M | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 700MA TO-220 | تحقيق |
 |
STU10P6F6 | STMicroelectronics | MOSFET P-CH 60V 10A IPAK | تحقيق |
 |
IPI80N06S3L-08 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 80A TO-262 | تحقيق |
 |
JAN2N6790 | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH TO-205AF TO-39 | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog