العربية
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska✕
معلومات عنا | اتصل بنا | اطلب اقتباس |
الصفحة الرئيسية > منتجات > منتجات أشباه الموصلات المنفصلة > الترانزستورات - فيتس، موسيتس - واحدة > IXTP08N50D2
IXTP08N50D2
IXTP08N50D2
رقم القطعة:
IXTP08N50D2
الصانع:
IXYS Corporation
وصف:
MOSFET N-CH 500V 800MA TO220AB
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
14254 Pieces
ورقة البيانات:
IXTP08N50D2.pdf
تحقيق

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IXTP08N50D2 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IXTP08N50D2 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى IXTP08N50D2 مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:-
فغس (ماكس):±20V
تكنولوجيا:MOSFET (Metal Oxide)
تجار الأجهزة حزمة:TO-220AB
سلسلة:-
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:4.6 Ohm @ 400mA, 0V
تبديد الطاقة (ماكس):60W (Tc)
التعبئة والتغليف:Tube
حزمة / كيس:TO-220-3
درجة حرارة التشغيل:-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع:Through Hole
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع المهلة القياسية:8 Weeks
الصانع الجزء رقم:IXTP08N50D2
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:312pF @ 25V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:12.7nC @ 5V
نوع FET:N-Channel
FET الميزة:Depletion Mode
وصف موسع:N-Channel 500V 800mA (Tc) 60W (Tc) Through Hole TO-220AB
محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على):-
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):500V
وصف:MOSFET N-CH 500V 800MA TO220AB
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:800mA (Tc)
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات

قطع الغيار ذات الصلة لIXTP08N50D2

صورة رقم القطعة مصنعين وصف رأي
BSL202SNH6327XTSA1 Image BSL202SNH6327XTSA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 20V 7.5A 6TSOP تحقيق
PHB23NQ10LT,118 Image PHB23NQ10LT,118 NXP USA Inc. MOSFET N-CH 100V 23A D2PAK تحقيق
IXTP05N100P Image IXTP05N100P IXYS MOSFET N-CH 1000V 500MA TO-263 تحقيق
IXTP08N100D2 Image IXTP08N100D2 IXYS MOSFET N-CH 1000V 0.8A TO220AB تحقيق
IRFS7434PBF Image IRFS7434PBF Infineon Technologies MOSFET N-CH 40V 195A D2PAK تحقيق
IXTP08N100P Image IXTP08N100P IXYS MOSFET N-CH 1000V 800MA TO-220 تحقيق
NTNS3A91PZT5G Image NTNS3A91PZT5G ON Semiconductor MOSFET P-CH 20V 0.223A XLLGA3 تحقيق
SI8800EDB-T2-E1 Image SI8800EDB-T2-E1 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 20V MICROFOOT تحقيق
IXTP01N100D Image IXTP01N100D IXYS MOSFET N-CH 1KV .1A TO-220AB تحقيق
IXTP08N120P Image IXTP08N120P IXYS MOSFET N-CH 1200V 800MA TO-220 تحقيق
SSM3K341R,LF Image SSM3K341R,LF Toshiba Semiconductor and Storage MOSFET N-CH 60V 6A تحقيق
IXTP02N50D Image IXTP02N50D IXYS MOSFET N-CH 500V 0.2A TO-220 تحقيق
FQD7P06TM_NB82050 Image FQD7P06TM_NB82050 Fairchild/ON Semiconductor MOSFET P-CH 60V 5.4A DPAK تحقيق
IXTP05N100M Image IXTP05N100M IXYS MOSFET N-CH 1000V 700MA TO-220 تحقيق
IXTP05N100 Image IXTP05N100 IXYS MOSFET N-CH 1000V 0.75A TO-220 تحقيق
IXTP02N120P Image IXTP02N120P IXYS MOSFET N-CH 1200V 0.2A TO-220 تحقيق
IXTP06N120P Image IXTP06N120P IXYS MOSFET N-CH 1200V 600MA TO-220 تحقيق

Latest الأخبار