يشترى IXTP4N65X2 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 5V @ 250µA |
---|---|
فغس (ماكس): | ±30V |
تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
تجار الأجهزة حزمة: | TO-220 |
سلسلة: | - |
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 850 mOhm @ 2A, 10V |
تبديد الطاقة (ماكس): | 80W (Tc) |
التعبئة والتغليف: | Tube |
حزمة / كيس: | TO-220-3 |
درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
تصاعد نوع: | Through Hole |
مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
الصانع المهلة القياسية: | 8 Weeks |
الصانع الجزء رقم: | IXTP4N65X2 |
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 455pF @ 25V |
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 8.3nC @ 10V |
نوع FET: | N-Channel |
FET الميزة: | - |
وصف موسع: | N-Channel 650V 4A (Tc) 80W (Tc) Through Hole TO-220 |
محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على): | 10V |
استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 650V |
وصف: | MOSFET N-CH 650V 4A X2 TO-220 |
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 4A (Tc) |
Email: | [email protected] |