يشترى IXTP6N50D2 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
IXTP6N50D2
- رقم القطعة:
- IXTP6N50D2
- الصانع:
- IXYS Corporation
- وصف:
- MOSFET N-CH 500V 6A TO220AB
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 12634 Pieces
- ورقة البيانات:
- IXTP6N50D2.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IXTP6N50D2 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IXTP6N50D2 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | - |
|---|---|
| فغس (ماكس): | ±20V |
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | TO-220AB |
| سلسلة: | - |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 500 mOhm @ 3A, 0V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 300W (Tc) |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | TO-220-3 |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 8 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | IXTP6N50D2 |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 2800pF @ 25V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 96nC @ 5V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | Depletion Mode |
| وصف موسع: | N-Channel 500V 6A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-220AB |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على): | - |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 500V |
| وصف: | MOSFET N-CH 500V 6A TO220AB |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 6A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لIXTP6N50D2
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
NP84N075KUE-E1-AY | Renesas Electronics America | MOSFET N-CH 75V 84A TO-263 | تحقيق |
 |
BUK7535-55A,127 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 55V 35A TO220AB | تحقيق |
 |
IXTP60N20T | IXYS | MOSFET N-CH 200V 60A TO-220 | تحقيق |
|
IXTP60N10T | IXYS | MOSFET N-CH 100V 60A TO-220 | تحقيق |
 |
IPD90N04S405ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 86A TO252-3-313 | تحقيق |
|
NTP18N06LG | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 15A TO220AB | تحقيق |
 |
RK7002BT116 | Rohm Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 0.25A SOT-23 | تحقيق |
 |
SUD45P03-15-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 30V TO252 | تحقيق |
|
IXTP64N055T | IXYS | MOSFET N-CH 55V 64A TO-220 | تحقيق |
 |
SI7852ADP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 80V 30A PPAK SO-8 | تحقيق |
 |
FQPF44N10 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 100V 27A TO-220F | تحقيق |
|
IXTP6N50P | IXYS | MOSFET N-CH 500V 6A TO-220 | تحقيق |
 |
IXFA14N60P3 | IXYS | MOSFET N-CH 600V 14A TO-263AA | تحقيق |
|
IXTP62N15P | IXYS | MOSFET N-CH 150V 62A TO-220 | تحقيق |
 |
AON4407L_002 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET P-CH 12V 9A 8DFN | تحقيق |
 |
IPI120N10S403AKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH TO262-3 | تحقيق |
|
IXTP6N100D2 | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 6A TO220AB | تحقيق |
 |
2N7000RLRPG | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 200MA TO-92 | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog