العربية
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska✕
معلومات عنا | اتصل بنا | اطلب اقتباس |
الصفحة الرئيسية > منتجات > منتجات أشباه الموصلات المنفصلة > الترانزستورات - فيتس، موسيتس - واحدة > IXTP8N50PM
IXTP8N50PM
IXTP8N50PM
رقم القطعة:
IXTP8N50PM
الصانع:
IXYS Corporation
وصف:
MOSFET N-CH 500V 4A TO-220
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
16668 Pieces
ورقة البيانات:
IXTP8N50PM.pdf
تحقيق

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IXTP8N50PM ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IXTP8N50PM عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى IXTP8N50PM مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:5.5V @ 250µA
تكنولوجيا:MOSFET (Metal Oxide)
تجار الأجهزة حزمة:TO-220AB
سلسلة:PolarHV™
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:800 mOhm @ 4A, 10V
تبديد الطاقة (ماكس):41W (Tc)
التعبئة والتغليف:Tube
حزمة / كيس:TO-220-3
درجة حرارة التشغيل:-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع:Through Hole
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع الجزء رقم:IXTP8N50PM
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:1050pF @ 25V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:20nC @ 10V
نوع FET:N-Channel
FET الميزة:-
وصف موسع:N-Channel 500V 4A (Tc) 41W (Tc) Through Hole TO-220AB
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):500V
وصف:MOSFET N-CH 500V 4A TO-220
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:4A (Tc)
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات

قطع الغيار ذات الصلة لIXTP8N50PM

صورة رقم القطعة مصنعين وصف رأي
IXTP8N70X2 IXYS MOSFET N-CHANNEL 700V 8A TO220-3 تحقيق
IXTP86N20T Image IXTP86N20T IXYS MOSFET N-CH 200V 86A TO-220 تحقيق
IXTP80N075L2 Image IXTP80N075L2 IXYS MOSFET N-CH 75V 80A TO-220 تحقيق
SI2351DS-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 20V 2.8A SOT23-3 تحقيق
IXTP88N085T Image IXTP88N085T IXYS MOSFET N-CH 85V 88A TO-220 تحقيق
NVB5405NT4G Image NVB5405NT4G ON Semiconductor MOSFET N-CH 40V 16.5A D2PAK تحقيق
IXTP8N65X2M Image IXTP8N65X2M IXYS MOSFET N-CH 650V 4A X2 TO-220 تحقيق
IXTP8N50P Image IXTP8N50P IXYS MOSFET N-CH 500V 8A TO-220 تحقيق
IXTP8N70X2M IXYS MOSFET N-CHANNEL 700V 4A TO220-3 تحقيق
IPA50R950CE Image IPA50R950CE Infineon Technologies MOSFET N-CH 500V 4.3A PG-TO220FP تحقيق
IXTP80N10T Image IXTP80N10T IXYS MOSFET N-CH 100V 80A TO-220 تحقيق
IRF7469 Image IRF7469 Infineon Technologies MOSFET N-CH 40V 9A 8-SOIC تحقيق
FQA17N40 Image FQA17N40 Fairchild/ON Semiconductor MOSFET N-CH 400V 17.2A TO-3P تحقيق
IXTP8N65X2 Image IXTP8N65X2 IXYS MOSFET N-CH 650V 8A X2 TO-220 تحقيق
NP90N04MUG-S18-AY Image NP90N04MUG-S18-AY Renesas Electronics America MOSFET N-CH 40V 90A TO-263 تحقيق
TPHR8504PL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage MOSFET N-CH 40V 150A 8SOP تحقيق
SPA16N50C3 Image SPA16N50C3 Infineon Technologies MOSFET N-CH 560V 16A TO220FP تحقيق
STD9N40M2 Image STD9N40M2 STMicroelectronics MOSFET N-CH 400V 6A DPAK تحقيق

Latest الأخبار