يشترى IXTP8N65X2M مع BYCHPS
شراء مع ضمان
IXTP8N65X2M
- رقم القطعة:
- IXTP8N65X2M
- الصانع:
- IXYS Corporation
- وصف:
- MOSFET N-CH 650V 4A X2 TO-220
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 15551 Pieces
- ورقة البيانات:
- IXTP8N65X2M.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IXTP8N65X2M ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IXTP8N65X2M عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 5V @ 250µA |
|---|---|
| فغس (ماكس): | ±30V |
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | TO-220 |
| سلسلة: | - |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 550 mOhm @ 4A, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 32W (Tc) |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | TO-220-3 |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 8 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | IXTP8N65X2M |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 800pF @ 25V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 12nC @ 10V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | N-Channel 650V 4A (Tc) 32W (Tc) Through Hole TO-220 |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على): | 10V |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 650V |
| وصف: | MOSFET N-CH 650V 4A X2 TO-220 |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 4A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لIXTP8N65X2M
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
IXTP88N085T | IXYS | MOSFET N-CH 85V 88A TO-220 | تحقيق |
 |
TK16J60W,S1VQ | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N CH 600V 15.8A TO-3P(N) | تحقيق |
 |
IXTP8N70X2 | IXYS | MOSFET N-CHANNEL 700V 8A TO220-3 | تحقيق |
 |
FQB12P20TM | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET P-CH 200V 11.5A D2PAK | تحقيق |
 |
RCX450N20 | Rohm Semiconductor | MOSFET N-CH 200V 45A TO220 | تحقيق |
 |
IXFH40N85X | IXYS | MOSFET NCH 850V 40A TO247 | تحقيق |
|
IXTP8N65X2 | IXYS | MOSFET N-CH 650V 8A X2 TO-220 | تحقيق |
|
IXTP8N70X2M | IXYS | MOSFET N-CHANNEL 700V 4A TO220-3 | تحقيق |
 |
IRFR2905ZTRRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 42A DPAK | تحقيق |
|
IXTQ36N30P | IXYS | MOSFET N-CH 300V 36A TO-3P | تحقيق |
 |
IRL2505SPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 104A D2PAK | تحقيق |
|
IXTP8N50P | IXYS | MOSFET N-CH 500V 8A TO-220 | تحقيق |
|
IXTP86N20T | IXYS | MOSFET N-CH 200V 86A TO-220 | تحقيق |
|
IXTP80N10T | IXYS | MOSFET N-CH 100V 80A TO-220 | تحقيق |
|
IXTP80N075L2 | IXYS | MOSFET N-CH 75V 80A TO-220 | تحقيق |
|
IXTP8N50PM | IXYS | MOSFET N-CH 500V 4A TO-220 | تحقيق |
 |
NTMFS4923NET3G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 91A SO-8FL | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog