العربية
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska✕
معلومات عنا | اتصل بنا | اطلب اقتباس |
الصفحة الرئيسية > منتجات > منتجات أشباه الموصلات المنفصلة > الترانزستورات - فيتس، موسيتس - واحدة > IXTQ200N10T
IXTQ200N10T
IXTQ200N10T
رقم القطعة:
IXTQ200N10T
الصانع:
IXYS Corporation
وصف:
MOSFET N-CH 100V 200A TO-3P
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
17412 Pieces
ورقة البيانات:
IXTQ200N10T.pdf
تحقيق

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IXTQ200N10T ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IXTQ200N10T عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى IXTQ200N10T مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:4.5V @ 250µA
فغس (ماكس):±30V
تكنولوجيا:MOSFET (Metal Oxide)
تجار الأجهزة حزمة:TO-3P
سلسلة:TrenchMV™
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:5.5 mOhm @ 50A, 10V
تبديد الطاقة (ماكس):550W (Tc)
التعبئة والتغليف:Tube
حزمة / كيس:TO-3P-3, SC-65-3
درجة حرارة التشغيل:-55°C ~ 175°C (TJ)
تصاعد نوع:Through Hole
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع المهلة القياسية:8 Weeks
الصانع الجزء رقم:IXTQ200N10T
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:9400pF @ 25V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:152nC @ 10V
نوع FET:N-Channel
FET الميزة:-
وصف موسع:N-Channel 100V 200A (Tc) 550W (Tc) Through Hole TO-3P
محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على):10V
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):100V
وصف:MOSFET N-CH 100V 200A TO-3P
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:200A (Tc)
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات

قطع الغيار ذات الصلة لIXTQ200N10T

صورة رقم القطعة مصنعين وصف رأي
IXTQ200N075T Image IXTQ200N075T IXYS MOSFET N-CH 75V 200A TO-3P تحقيق
IXTQ220N055T Image IXTQ220N055T IXYS MOSFET N-CH 55V 220A TO-3P تحقيق
IXTQ200N085T Image IXTQ200N085T IXYS MOSFET N-CH 85V 200A TO-3P تحقيق
IXTQ240N055T Image IXTQ240N055T IXYS MOSFET N-CH 55V 240A TO-3P تحقيق
IXTQ22N60P Image IXTQ22N60P IXYS MOSFET N-CH 600V 22A TO-3P تحقيق
IXTQ200N06P Image IXTQ200N06P IXYS MOSFET N-CH 60V 200A TO-3P تحقيق
IXTQ26N50P Image IXTQ26N50P IXYS MOSFET N-CH 500V 26A TO-3P تحقيق
IXTQ22N50P Image IXTQ22N50P IXYS MOSFET N-CH 500V 22A TO-3P تحقيق
IXTQ230N085T Image IXTQ230N085T IXYS MOSFET N-CH 85V 230A TO-3P تحقيق
IXTQ26P20P Image IXTQ26P20P IXYS MOSFET P-CH 200V 26A TO-3P تحقيق
IXTQ26N60P Image IXTQ26N60P IXYS MOSFET N-CH 600V 26A TO-3P تحقيق
IXTQ280N055T Image IXTQ280N055T IXYS MOSFET N-CH 55V 280A TO-3P تحقيق
IXTQ220N075T Image IXTQ220N075T IXYS MOSFET N-CH 75V 220A TO-3P تحقيق
IXTQ28N15P Image IXTQ28N15P IXYS MOSFET N-CH TO-3P تحقيق

Latest الأخبار