العربية
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska✕
معلومات عنا | اتصل بنا | اطلب اقتباس |
الصفحة الرئيسية > منتجات > منتجات أشباه الموصلات المنفصلة > الترانزستورات - فيتس، موسيتس - واحدة > IXTQ280N055T
IXTQ280N055T
IXTQ280N055T
رقم القطعة:
IXTQ280N055T
الصانع:
IXYS Corporation
وصف:
MOSFET N-CH 55V 280A TO-3P
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
13193 Pieces
ورقة البيانات:
IXTQ280N055T.pdf
تحقيق

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IXTQ280N055T ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IXTQ280N055T عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى IXTQ280N055T مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:4V @ 250µA
تكنولوجيا:MOSFET (Metal Oxide)
تجار الأجهزة حزمة:TO-3P
سلسلة:TrenchMV™
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:3.2 mOhm @ 50A, 10V
تبديد الطاقة (ماكس):550W (Tc)
التعبئة والتغليف:Tube
حزمة / كيس:TO-3P-3, SC-65-3
درجة حرارة التشغيل:-55°C ~ 175°C (TJ)
تصاعد نوع:Through Hole
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع الجزء رقم:IXTQ280N055T
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:9700pF @ 25V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:200nC @ 10V
نوع FET:N-Channel
FET الميزة:-
وصف موسع:N-Channel 55V 280A (Tc) 550W (Tc) Through Hole TO-3P
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):55V
وصف:MOSFET N-CH 55V 280A TO-3P
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:280A (Tc)
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات

قطع الغيار ذات الصلة لIXTQ280N055T

صورة رقم القطعة مصنعين وصف رأي
CEDM7001 TR Image CEDM7001 TR Central Semiconductor Corp MOSFET N-CH 20V 0.1A SOT-883 تحقيق
IXTQ250N075T Image IXTQ250N075T IXYS MOSFET N-CH 75V 250A TO-3P تحقيق
IXTQ240N055T Image IXTQ240N055T IXYS MOSFET N-CH 55V 240A TO-3P تحقيق
IXTQ26N50P Image IXTQ26N50P IXYS MOSFET N-CH 500V 26A TO-3P تحقيق
IXTQ22N50P Image IXTQ22N50P IXYS MOSFET N-CH 500V 22A TO-3P تحقيق
IXTQ200N075T Image IXTQ200N075T IXYS MOSFET N-CH 75V 200A TO-3P تحقيق
SI7465DP-T1-E3 Image SI7465DP-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 60V 3.2A PPAK SO-8 تحقيق
BSC025N03MSGATMA1 Image BSC025N03MSGATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8 تحقيق
IXTQ220N055T Image IXTQ220N055T IXYS MOSFET N-CH 55V 220A TO-3P تحقيق
IXTQ200N10T Image IXTQ200N10T IXYS MOSFET N-CH 100V 200A TO-3P تحقيق
IXTQ26P20P Image IXTQ26P20P IXYS MOSFET P-CH 200V 26A TO-3P تحقيق
IXTQ200N06P Image IXTQ200N06P IXYS MOSFET N-CH 60V 200A TO-3P تحقيق
DMN61D9U-13 Image DMN61D9U-13 Diodes Incorporated MOSFET N-CH 60V 0.38A SOT23 تحقيق
IXTQ200N085T Image IXTQ200N085T IXYS MOSFET N-CH 85V 200A TO-3P تحقيق
IXTQ230N085T Image IXTQ230N085T IXYS MOSFET N-CH 85V 230A TO-3P تحقيق
IXTQ28N15P Image IXTQ28N15P IXYS MOSFET N-CH TO-3P تحقيق
IXTQ26N60P Image IXTQ26N60P IXYS MOSFET N-CH 600V 26A TO-3P تحقيق
IXTQ22N60P Image IXTQ22N60P IXYS MOSFET N-CH 600V 22A TO-3P تحقيق
IXTQ220N075T Image IXTQ220N075T IXYS MOSFET N-CH 75V 220A TO-3P تحقيق

Latest الأخبار