يشترى IXTQ80N28T مع BYCHPS
شراء مع ضمان
IXTQ80N28T
- رقم القطعة:
- IXTQ80N28T
- الصانع:
- IXYS Corporation
- وصف:
- MOSFET N-CH 280V 80A TO-3P
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 16007 Pieces
- ورقة البيانات:
- IXTQ80N28T.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IXTQ80N28T ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IXTQ80N28T عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 5V @ 1mA |
|---|---|
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | TO-3P |
| سلسلة: | - |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 49 mOhm @ 500mA, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 500W (Tc) |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | TO-3P-3, SC-65-3 |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع الجزء رقم: | IXTQ80N28T |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 5000pF @ 25V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 115nC @ 10V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | N-Channel 280V 80A (Tc) 500W (Tc) Through Hole TO-3P |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 280V |
| وصف: | MOSFET N-CH 280V 80A TO-3P |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 80A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لIXTQ80N28T
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
SI7405BDN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 12V 16A 1212-8 | تحقيق |
 |
IXTP26P10T | IXYS | MOSFET P-CH 100V 26A TO-220 | تحقيق |
 |
IXTQ88N30P | IXYS | MOSFET N-CH 300V 88A TO-3P | تحقيق |
 |
IXFH16N90Q | IXYS | MOSFET N-CH 900V 16A TO-247 | تحقيق |
|
IXTQ86N20T | IXYS | MOSFET N-CH 200V 86A TO-3P | تحقيق |
 |
IRL3714ZLPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 20V 36A TO-262 | تحقيق |
 |
IXTH34N65X2 | IXYS | MOSFET N-CH 650V 34A TO-247 | تحقيق |
 |
AUIRFB8405 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 120A TO220AB | تحقيق |
 |
RJK0851DPB-00#J5 | Renesas Electronics America | MOSFET N-CH 80V 20A LFPAK | تحقيق |
|
IXTQ88N15 | IXYS | MOSFET N-CH 150V 88A TO-3P | تحقيق |
 |
IPA60R180P7XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 18A TO220 | تحقيق |
 |
IRLZ14STRLPBF | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 60V 10A D2PAK | تحقيق |
|
STB12NK80ZT4 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 800V 10.5A D2PAK | تحقيق |
|
IXTQ82N25P | IXYS | MOSFET N-CH 250V 82A TO-3P | تحقيق |
 |
FQB10N50CFTM_WS | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 500V 10A DPAK | تحقيق |
 |
IPP60R230P6XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V TO220-3 | تحقيق |
 |
DMP6023LFG-7 | Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 60V 7.7A POWERDI3333 | تحقيق |
 |
IRFU9214 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 250V 2.7A I-PAK | تحقيق |
 |
SI7898DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 150V 3A PPAK SO-8 | تحقيق |
 |
SIHG28N65EF-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 650V 28A TO-247AC | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI to reduce costs in Wireless business; OMAP™ processors and wireless connectivity solutions will focus on embedded markets
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers