يشترى IXTQ86N20T مع BYCHPS
شراء مع ضمان
VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 5V @ 1mA |
---|---|
تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
تجار الأجهزة حزمة: | TO-3P |
سلسلة: | - |
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 29 mOhm @ 500mA, 10V |
تبديد الطاقة (ماكس): | 480W (Tc) |
التعبئة والتغليف: | Tube |
حزمة / كيس: | TO-3P-3, SC-65-3 |
درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
تصاعد نوع: | Through Hole |
مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
الصانع المهلة القياسية: | 8 Weeks |
الصانع الجزء رقم: | IXTQ86N20T |
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 4500pF @ 25V |
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 90nC @ 10V |
نوع FET: | N-Channel |
FET الميزة: | - |
وصف موسع: | N-Channel 200V 86A (Tc) 480W (Tc) Through Hole TO-3P |
استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 200V |
وصف: | MOSFET N-CH 200V 86A TO-3P |
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 86A (Tc) |
Email: | [email protected] |