العربية
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska✕
معلومات عنا | اتصل بنا | اطلب اقتباس |
الصفحة الرئيسية > منتجات > منتجات أشباه الموصلات المنفصلة > الترانزستورات - فيتس، موسيتس - واحدة > IXTT26N50P
IXTT26N50P
IXTT26N50P
رقم القطعة:
IXTT26N50P
الصانع:
IXYS Corporation
وصف:
MOSFET N-CH 500V 26A TO-268
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
18893 Pieces
ورقة البيانات:
IXTT26N50P.pdf
تحقيق

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IXTT26N50P ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IXTT26N50P عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى IXTT26N50P مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:5.5V @ 250µA
تكنولوجيا:MOSFET (Metal Oxide)
تجار الأجهزة حزمة:TO-268
سلسلة:PolarHV™
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:230 mOhm @ 13A, 10V
تبديد الطاقة (ماكس):400W (Tc)
التعبئة والتغليف:Tube
حزمة / كيس:TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
درجة حرارة التشغيل:-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع:Surface Mount
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع المهلة القياسية:8 Weeks
الصانع الجزء رقم:IXTT26N50P
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:3600pF @ 25V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:65nC @ 10V
نوع FET:N-Channel
FET الميزة:-
وصف موسع:N-Channel 500V 26A (Tc) 400W (Tc) Surface Mount TO-268
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):500V
وصف:MOSFET N-CH 500V 26A TO-268
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:26A (Tc)
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات

قطع الغيار ذات الصلة لIXTT26N50P

صورة رقم القطعة مصنعين وصف رأي
DMP2104LP-7 Image DMP2104LP-7 Diodes Incorporated MOSFET P-CH 20V 1.5A 3-DFN تحقيق
IRFR120ZTRL Infineon Technologies MOSFET N-CH 100V 8.7A DPAK تحقيق
IXTT2N300P3HV Image IXTT2N300P3HV IXYS 2000V TO 3000V POLAR3 POWER MOSF تحقيق
IXTT20P50P Image IXTT20P50P IXYS MOSFET P-CH 500V 20A TO-268 تحقيق
IRLIB9343PBF Image IRLIB9343PBF Infineon Technologies MOSFET P-CH 55V 14A TO220FP تحقيق
NVF6P02T3G Image NVF6P02T3G ON Semiconductor MOSFET P-CH 20V 10A SOT-223 تحقيق
IXTT24P20 Image IXTT24P20 IXYS MOSFET P-CH 200V 24A TO-268 تحقيق
IRF9Z30PBF Image IRF9Z30PBF Vishay Siliconix MOSFET P-CH 50V 18A TO-220AB تحقيق
SFT1452-TL-W Image SFT1452-TL-W ON Semiconductor MOSFET N-CH 250V 3A DPAK تحقيق
FQB70N08TM Image FQB70N08TM Fairchild/ON Semiconductor MOSFET N-CH 80V 70A D2PAK تحقيق
IXTT26N60P Image IXTT26N60P IXYS MOSFET N-CH 600V 26A TO-268 D3 تحقيق
IXTT2N170D2 Image IXTT2N170D2 IXYS MOSFET N-CH 1700V 2A TO-268 تحقيق
IXTT20N50D Image IXTT20N50D IXYS MOSFET N-CH 500V 20A TO-268 تحقيق
IRF6610TR1PBF Image IRF6610TR1PBF Infineon Technologies MOSFET N-CH 20V 15A DIRECTFET تحقيق
STFH18N60M2 Image STFH18N60M2 STMicroelectronics N-CHANNEL 600 V, 0.255 OHM TYP., تحقيق
AOD516_002 Image AOD516_002 Alpha & Omega Semiconductor Inc. MOSFET N-CH 30V 18A تحقيق
IRF7459TR Image IRF7459TR Infineon Technologies MOSFET N-CH 20V 12A 8-SOIC تحقيق
STP110N55F6 Image STP110N55F6 STMicroelectronics MOSFET N CH 55V 110A TO-220 تحقيق
IRFN214BTA_FP001 Fairchild/ON Semiconductor MOSFET N-CH 250V 0.6A TO-92 تحقيق

Latest الأخبار