يشترى IXTT2N300P3HV مع BYCHPS
شراء مع ضمان
IXTT2N300P3HV
- رقم القطعة:
- IXTT2N300P3HV
- الصانع:
- IXYS Corporation
- وصف:
- 2000V TO 3000V POLAR3 POWER MOSF
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- خالية من الرصاص عن طريق الإعفاء / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 12480 Pieces
- ورقة البيانات:
- IXTT2N300P3HV.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IXTT2N300P3HV ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IXTT2N300P3HV عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 5V @ 250µA |
|---|---|
| فغس (ماكس): | ±20V |
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | TO-268 |
| سلسلة: | - |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 21 Ohm @ 1A, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 520W (Tc) |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 155°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 8 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | IXTT2N300P3HV |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 1890pF @ 25V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 73nC @ 10V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | N-Channel 3000V (3kV) 2A (Tc) 520W (Tc) Surface Mount TO-268 |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على): | 10V |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 3000V (3kV) |
| وصف: | 2000V TO 3000V POLAR3 POWER MOSF |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 2A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لIXTT2N300P3HV
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
IRL5602 | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 20V 24A TO-220AB | تحقيق |
 |
CSD17559Q5T | Texas Instruments | N-CHANNEL NEXFET POWER MOSFET | تحقيق |
 |
IXTT20N50D | IXYS | MOSFET N-CH 500V 20A TO-268 | تحقيق |
 |
SUM55P06-19L-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 60V 55A D2PAK | تحقيق |
|
IXTT2N170D2 | IXYS | MOSFET N-CH 1700V 2A TO-268 | تحقيق |
 |
IPW65R150CFDFKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V TO247 | تحقيق |
 |
BSS84TC | Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 50V 0.13A SOT23-3 | تحقيق |
|
STT6N3LLH6 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 30V 6A SOT23-6 | تحقيق |
 |
IXTT20P50P | IXYS | MOSFET P-CH 500V 20A TO-268 | تحقيق |
 |
STL42N65M5 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 650V 4A PWRFLT8X8HV | تحقيق |
 |
NTMFS4122NT1G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 9.1A SO-8FL | تحقيق |
 |
IPP80N06S2L06AKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3 | تحقيق |
|
IXTT24P20 | IXYS | MOSFET P-CH 200V 24A TO-268 | تحقيق |
 |
IRL630A | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 200V 9A TO-220 | تحقيق |
 |
FDMC7672S_F126 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V | تحقيق |
 |
IRFD310PBF | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 400V 350MA 4-DIP | تحقيق |
|
IXTT26N50P | IXYS | MOSFET N-CH 500V 26A TO-268 | تحقيق |
 |
STP220N6F7 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 60V 120A TO-220 | تحقيق |
|
IXTT26N60P | IXYS | MOSFET N-CH 600V 26A TO-268 D3 | تحقيق |
 |
STL140N4F7AG | STMicroelectronics | POWER TRANSISTORS | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog