IXTT60N20L2
IXTT60N20L2
رقم القطعة:
IXTT60N20L2
الصانع:
IXYS Corporation
وصف:
MOSFET N-CH 200V 60A TO268
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
خالية من الرصاص عن طريق الإعفاء / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
18783 Pieces
ورقة البيانات:
IXTT60N20L2.pdf

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IXTT60N20L2 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IXTT60N20L2 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى IXTT60N20L2 مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:4.5V @ 250µA
فغس (ماكس):±20V
تكنولوجيا:MOSFET (Metal Oxide)
تجار الأجهزة حزمة:TO-268
سلسلة:Linear L2™
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:45 mOhm @ 30A, 10V
تبديد الطاقة (ماكس):540W (Tc)
التعبئة والتغليف:Tube
حزمة / كيس:TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
درجة حرارة التشغيل:-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع:Surface Mount
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع المهلة القياسية:8 Weeks
الصانع الجزء رقم:IXTT60N20L2
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:10500pF @ 25V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:255nC @ 10V
نوع FET:N-Channel
FET الميزة:-
وصف موسع:N-Channel 200V 60A (Tc) 540W (Tc) Surface Mount TO-268
محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على):10V
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):200V
وصف:MOSFET N-CH 200V 60A TO268
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:60A (Tc)
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات